在P 沟道耗尽型MOSFET中,一小条 P 型半导体连接源极和漏极。源极和漏极为P型半导体,衬底为N型半导体。大多数电荷载流子是空穴。 p 沟道耗尽型MOSFET结构与 n 沟道耗尽型MOSFET完全相反。该MOSFET包括一个在源极和漏极区域之间制成的沟道,该沟道用p 型杂质重度掺杂。因此,在这个MOSFET中,使用了 n 型衬底,沟道...
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一、场效应管的分类 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N...
百度试题 题目下图为场效应管的符号,说明电路符合代表的管子的类型。(a)图是N沟道型MOSFET,(b)图是N沟道型MOSFET。相关知识点: 试题来源: 解析 增强 # 耗尽反馈 收藏
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。二、场效应三极管的型号命名方法 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。三、场效应管的参数 1、I DSS — 饱和漏源电流。是...