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IGBT模块在十几 kHz开关频率中就会表现出严重的局限性,由于IGBT模块尾电流导致损耗较大。使用 SiC-MOSFET模块,开关频率增加,从而减小了滤波器体积。SiC 模块允许在数十和数百 kHz 的频率下运行,开关损耗相对较低,从而显著减少了滤波器和散热热系统的体积。这些技术进步使变流器总体积大幅度减少,效率提高,从而...
国内方面,近期,本项目团队分别报道了基于 4 寸 4H-SiC 材料的 6.5kV/25A SiC MOSFET 芯片和 6.5kV/25A SiC SBD 器件,实现了器件击穿电压大于 7kV,常温下导通电流大于25A 的器件特性,同时也对于初步封装的6.5kV/25A 和 100A SiC MOSFET 模块进行了测试,并与国际最新研究水平做了对比分析,对比了同型器件在...
Silicon Carbide MOSFET模块 对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言,碳化硅SiC MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。然而,由于高开关速度会导致高漏源电压(Vds)峰值和长振铃期,它们会产生电磁干扰,尤其是在电流大时。本文提供了一个较好的解决方案来...
压接式SiC MOSFET模块是将碳化硅SiC芯片焊接在钼片基板上,芯片通过弹簧结构连接到顶部电极端子,形成一个功能单元,数个功能单元形成一个子模块,数个子模块组装在一起,形成压接式碳化硅模块。可以通过增减子模块的数量来实现电流电压的设计需求。压接式碳化硅模块主要是压接端子让芯 片连接到模块功率端子,功率端子是经过...
以国产碳化硅(SiC)功率模块头部企业**BASiC Semiconductor(基本股份)**为例,其发展路径体现了国产第三代半导体产业从技术突破到市场替代的全链条布局。结合行业背景与企业实践,可从以下维度深度分析其发展路径:一、技术突破:从对标国际到自主创新 性能对标国际竞品基本股份的SiC MOSFET模块在关键参数上已接近甚至...
国产碳化硅(SiC)MOSFET功率模块在低空经济中的电动垂直起降飞行器(eVTOL)领域扮演着关键角色,其技术优势与低空经济的需求高度契合,倾佳电子杨茜归纳为以下五大方面的具体作用:倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级!倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET...