IGBT:由于其高电流承受能力和较低的导通损耗,IGBT特别适合于中高电压、大功率的应用场景,如交流马达驱动、电网逆变器、高压直流输电等。在电动汽车的牵引驱动系统中,IGBT也扮演着关键角色。 MOSFET:由于其高开关速度和低导通压降,MOSFET更适合于低压、高频的应用场景,如开关电源、逆变器、电动工具、电动汽车等...
MOSFET和IGBT都是常用的功率半导体器件,但是它们有以下几点不同: MOSFET通常应用于低电压、高速开关电路,IGBT则适用于高电压、大电流开关电路。 IGBT的导通损耗低于MOSFET,但截止速度较慢,控制更为复杂。 MOSFET的结构简单,易于制造和集成到微电子芯片中,因此可实现高集成度,而IGBT则较难实现高集成度。
00:00/00:00 IGBT是什么?和MOSFET有何区别? VBsemi微碧半导体发布于:广东省2024.06.19 09:50 分享到
IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。
MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。
MOSFET是一个时代产物,他开关速度快/输入阻抗大/热稳定性好等等优点,已经成为工程师们的首选.如果非要说说MOSFET的缺点,就是他容易被静电破坏,复杂电路中驱动电路比较繁琐。 一位工程师曾经对我讲,他从来不看MOSFET数据表的第一页,因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上,MOSFET数据表上的每一页都包含...
就目前来说 MOSFET 适用于 小功率的电源比较多， 开关频率较高，一般高于50kHz的场合。IGBT 适用于 大功率的电源比较多。 开关频率较低，一般小于25kHz的场合.
MOSFET和IGBT的控制方式完全相同，只要相关的参数适用就可以互换。
在这种情况下,IGBT需要承受非常高的电流和热量,所以在瞬间施加的电压下,IGBT上管电流会瞬间增加到非常高的水平,所以上管IGBT的Vce一直维持很低的电压。相比之下,SiC MOSFET的桥臂直通短路表现通常是电流瞬间大幅度增加,但然后在很短的时间内就达到峰值并迅速降低。...