フォトボルカプラーTLP3906とパワーMOSFET TPH1R306PLを組み合わせた半導体リレー回路のリファレンスデザインです。メカリレーからの置き換えとして回路設計する際のガイドを記載します。 詳細 48Vバス電圧対応1.2V/100A出力DC-DCコンバーター ...
インフィニオンのCoolSiC™ SiC MOSFETは、最先端トレンチ半導体プロセスに基づいて構築されており、アプリケーションにおける低損失、ならびに高い動作信頼性を実現するよう最適化されています。ディスクリートCoolSiC™ MOSFET製品は、400 V、650 V、1200 V、1700 Vおよび2000 Vの電圧ク...
ディスクリート半導体の基礎へ戻る 別ウインドウにて開きます サイトマップ セミコンダクタープロダクツ パワー半導体 MOSFET IGBT/IEGT アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR) パワーマネージメントIC インテリジェントパワーIC ...
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体领军企业,致力于碳化硅功率器件的研发与产业化,对碳化硅器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等各方面进行研发,覆盖产业链各个环节。
※より物理学寄りの事が知りたい人は、たとえば「半導体プロセスまるわかり デジタル回路を構成するトランジスタ」がお勧めです。 電圧と電流について トランジスタの話の前に電圧と電流についてすこし。 まず2つ。 電圧は負荷の両端に発生する ...
インフィニオンは、3つの主要パワー半導体技術すべてにおいて信頼できる専門知識を提供します。ACDCアプリケーションでの位置付けをご確認ください! eLearning視聴はこちら 高速MOSFETの駆動方法 このトレーニングでは、高速パワーMOSFETの駆動方法を詳しく説明することで、効率を高めるお手伝いを...
【請求項1】任意の導電型の半導体基板と、該基板上に形成されたドレイン領域としての第1の導電型の第1の半導体領域と、該第1の半導体領域上の表面に、層間絶縁膜で相互に絶縁された、ゲート電極としての第1の導 权利要求说明书 【MOSFET】的权利说明书内容是...请下载后查看 说明书 【MOSFET】的说明书...
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また同製品は、一般的な各種パワー半導体用パッケージ(低インダクタンス・リードレスTO-LL、PowerFLAT 8x8 HV、D2PAK、TO-220、TO-247)で提供されます。TO-247は、ショート・リードまたはロング・リードから選択することができます。
『半導体とICパッケージの熱指標』(SPRA953) • 『LM43603およびLM43602による簡単な熱設計』(SNVA719) • 『放熱特性の優れたPowerPAD™パッケージ』(SLMA002) • 『PowerPADの簡単な使用法』(SLMA004) • 『新しい熱測定基準の使用』(SBVA025) 11.3 コミュニティ・リソース The ...