型号 PNMT20V3 技术参数 品牌: Prisemi 芯导 型号: PNMT20V3 封装: SOT-23SOT-23-3 批号: 21+ 数量: 3000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 6V 长度: 9mm 宽度: 5.9mm 高度: 2.5mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价...
PRISEMI芯导N沟道MOS管PNMT20V2SASOT-23完美代替2302一级代理商 大量供应原装正品一级代理分销经销通路供应商PRISEMI芯导N-ChannelMOS管PNMT20V2SASOT-23完美代替2302一级代理分销经销通路供应商
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本公司生产销售n管 N管 MOS管,提供n管专业参数,n管价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.n管 n管 品牌NCE/新洁能|产地广东省|价格9.0000元|型号NCEP60T20LL|宽度1.2mm|高度1.7mm|批号20+|长度8.8mm|封装TOLL|最大电源电压7.5V|最小工作温度-50C|最小电源电压5V广东省n
商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 MOS场效应管NCEP60T20D、 新洁能NCE60V200A、 TO-263 商品图片 商品参数 品牌: 新洁能NCE60V200A 封装: TO-263 批号: 23+ 数量: 325685 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 80C 最小电源...
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本文主要介绍新洁能MOS场效应管NCEP60T20D TO-263-2L 60V 200A 2.2mΩ@10V详情,MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管)属于绝缘栅型。
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摘要:### AP15T20GH-HF-VB 产品简介 ### AP15T20GH-HF-VB 产品简介 AP15T20GH-HF-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装,设计用于要求高电压承受能力和低导通电阻的应用。其先进的沟槽型技术和可靠的结构设计使其适用于多种工业和消费电子应用。
ncep60t20参数,ncep60t20代换KNX1906 ncep60t20代换场效应管KNX1906漏源击穿电压60V,漏极电流最大值为230A;RDS (on) = 2.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX1906具有无铅绿色设备、降低导电损耗、高雪崩电流等特性,最大限度地减少导通电阻,可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)和Qg的组合极低,导通和开关功率损耗都...