元器件 微碧半导体(VBSEMI)6301-VB SOT23-6 N沟道20V4.8A场效应管电子元器件晶体管芯片MOS管样品 品牌名称 VBSEMI 该商品已下柜,欢迎挑选其他商品! 相似商品推荐 加载中,请稍候...店内搜索 关键字: 价格: 到 店铺热销 热门关注 商品介绍 规格与包装 售后保障 商品评价 本店好评商品 加入购物车 品...
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QM6301S-VB是一款高性能的N P-Channel场效应MOS管,具有低导通电阻、高工作电压等特点。该器件采用无卤素环保型TrenchFET®技术,经过严格的栅极电阻(Rg)和未饱和冲击耐受(UIS)测试,确保了可靠性和一致性。其应用领域包括CCFL逆变器和其他开关电源应用,利用其快速开关特性提高效率并减小体积。技术参数概览显示,该MOSFET...
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长电CJK3401 丝印R1 SOT-23-3L 场效应管/MOS管 专营长电一系列 真实性已核验 增强型 长电品牌 查看详情 ¥0.15元 广东深圳 长电CJ2312 丝印S12 SOT-23 场效应管/MOS管 专营长电一系列产品 真实性已核验 增强型 长电品牌 查看详情 ¥0.80元 广东深圳 AOD444 丝印D444 12A/60V TO252 MOS管场...
增强型MOS管:其导电沟道是通过外加电压形成的。在没有外加电压时,增强型MOS管的沟道区域是完全耗尽的,即没有自由电子或空穴。当外加电压达到一定值时,沟道区域的电荷浓度增加,从而形成导电沟道。 耗尽型MOS管:其导电沟道在制造过程中就已经形成。在没有外加电压时,耗尽型MOS管的沟道区域就存在一定数量的自由电子...
(2016). A novel multiple objective symbi- otic organisms search (MOSOS) for time-cost-labor utilization tradeoff problem. Knowledge-Based Systems, 94, ... DH Tran,MY Cheng,D Prayogo - Knowledge-Based Systems 被引量: 41发表: 2016年 First-principles study of van der Waals interactions and ...