X-ray photoelectron spectra/ XPSlayered semiconductorJoint use of XPS and STS methods for MoSx van der Waals face cleaned by removal of a few layers in air have allowed to determine the connection between change of electronic properties and variation in Mo content for MoSx surface layers. STS...
通过XPS表征研究MoS2夹层和钙钛矿层之间的相互作用。测试发现MoS2层导致S 2p峰导致结合能变低(图3A),Pb 4f峰结合能变高(图3B),结果表明MoS2和钙钛矿之间的强键合作用导致化学态的改变。 如图3C所示,Raman表征结果表明,MoS2和钙钛矿界面导致...
用X-光电子能谱(XPS)研究MoS_2晶体表面的氧化Introduction Molybdenumdisulfide(MoS2)isalayeredtransitionmetaldichalcogenidewithatwo-dimensionalhexagonallatticestructurethathasdrawnsignificantattentionasapotentialcandidateforenergystorage,catalysis,andelectronics.However,thesurfaceoxidationofMoS2couldleadtoseriousdegradationofits...
HRTEM:界面处单晶MoS₂(六方晶格)与多晶ReS₂(衍射环)直接键合。 XPS:Mo 3d和Re 4f峰蓝移(分别为2.83 eV和1.48 eV),S 2p峰红移,证实化学键形成。 光电探测器测试: I-V特性:异质结在光照下表现出整流特性,暗电流显著低于单...
图4. a,b Co掺杂单层MoS₂电极放电到0.01V时TEM照片,c SAED,d Mo 3d的XPS谱,e Co 2p的XPS谱, f 电极在不同循环圈数电极的磁滞回线。 VCo掺杂单层MoS₂全电池性能 本文选择磷酸铁锂做正极,Co掺杂单层MoS₂材料为负极,组装全电池,在组装之前,Co掺杂单层MoS₂材料在半电池中先预循环三圈,以提高全...
d. MoS1.5Te0.5@C纳米缆线和CNT@MoS2纳米管复合物的Mo 3d高分辨XPS图 图3. 含Mo活性材料的电化学表征©2022 The Authors a. MoS1.5Te0.5@C纳米缆线电极在0.1mV s−1扫描速率下的CV曲线 b. 三种含Mo的活性材料在不同比电流下的循环特性
研究人员利用拉曼光谱和光致发光(PL)技术,探究了原始MoS₂和HfS₂/MoS₂的结构特征和光学性质,结果如图2a至图2c所示。为了进一步阐明异质结构的化学组成,研究人员利用X射线光电子能谱技术(XPS)对HfS₂/MoS₂进行了化学鉴定,测量结果如图2d至图2f所示。
对所制备的mosxoy/碳纳米复合材料进行xps表征,结果如图3a和图3b所示;从图3a中可以看出,四硫代钼酸铵中的钼被还原生成了mo4+,同时存在mo-s键和mo-o键,从图3b可以看到材料中同时存在s22-和s2-。通过电感耦合等离子体原子发射光谱(icp-aes)确定mosxoy在mosxoy/碳复合材料中的质量百分数为15%,x为2.89,结合xps的...
图2 所制备样品的结构:(a-e) XPS谱图,(f) DRS谱图,(g) 光热照片。 从XPS谱图图(a-e)可以看出Zn、In和S的峰位置均发生了偏移,表明MoSx和Zn3In2S6形成了一定的相互作用。其中也可以看出复合材料中Mo元素显示了三种不同的价态Mo4+/Mo5+/Mo6+。DRS谱图图f表明引入MoSx增强了复合材料的吸光范围甚至拓...
4、由图4的x射线光电子能谱(xps)可见,其中228.2和226.7ev处的两个峰都对应于mosx/uio-66/cc复合材料中的mosx的s2s,229.4和232.2ev处的两个新峰为mos2纳米颗粒的结合能,236.0ev处对应的mo主要是moo3,图4(b)通过sp的高分辨率xps进一步证实了富含s的硫化钼结构。