1、区别:源极(source)source资源,电源,中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(drain)drain排出,泄漏,中文翻译为漏极。起发射作用的电极。 2、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型b...
MOS管的Drain-Source是MOSFET的两个主要端子,分别负责电流的输入和输出。漏极(Drain)是MOSFET主要的电流输出端,即电流流出的地方。它通常被连接到负载或其他电路,使电流能够有效地流出。源极(Source)是MOSFET主要的电流输入端,即电流通过的地方。在连接MOSFET...
mos管的三个极为,G:gate栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 场效应管分为PMOS管和NMOS管,属于绝缘栅场效应管。 1...
场效应管是利用PN结的原理工作的，衬底是P型，源漏区就要N型才能型成PN结，产生PN结电场，出现“场效应”，当源漏极区也是P型，就没有PN结，变成一个电阻。
drain source volatage slope 是指漏源极间电压变化速率，dv/dt。（或说漏源电压变化率）解释：mosfet受结构及工作原理的限制，漏源极间的电压变化率(尤其上升率)不可以任意快，而是有一个极限值dv/dt。超过这个速率的漏源极电压变化，将通过寄生电容在体电阻上产生较高的压降使寄生的体三极管导通，...
看到有两个参数 Continuous Drain Current (TJ = 150C)a 和 Continuous Source Current (Diode ...
MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。 2. MOS管工作原理--Mos管的结构特点 MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小...
A MOS Transistor with self-aligned polysilicon source—drain A new MOS transistor with self-aligned polysilicon source-drain (SAPSD) is demonstrated. Using a thin implant-doped polysilicon layer above the active chan... TY Huang,IW Wu,John Y. Chen - 《IEEE Electron Device Letters》 被引量:...
MOS管有三个电极﹕D(Drain)称为漏极，相当于双极型三极管的集电极(C),均接電源正值;G(Gate)称为栅极，相当于双极型三极管的基极(B)﹐均接控制電壓;S(Source)称为源极，相当于双极型三极管的发射极(E)﹐均接電源負值.MOS管常用封裝 SOT-89 MOS管基本參數 參數符號參數名稱 VGS(th)BVDSS 閾值(開啟)電壓擊穿...