VDSon/RDSon 随着结温的升高而略有增大的特性使得 MOSFET 的直接并联使用变得可能.双极型器件在此方面恰好相反,故其并联使用变得相当复杂化. RDSon 也会随着 ID 的增大而略有增大,这一特性以及结和面 RDSon 正温度特性使得 MOSFET 避免了象双极型器件那样的二次击穿. 额定电压高的MOS有更高的RDS正温度特性。 但要...
1, 本阶段从ID电流角度来看,VGS电压已将MOS管完全打通,ID保持不变,VGS保持不变, 同时VDS电压开始下降; 2, 此阶段VGD先减小(VD>VG阶段)后反向增大(VG>VD阶段),对于CGD来说先放电后充电,对于CGS则不再消耗电荷(具体原理,下节“米勒平台”详细分析); 3, 米勒平台阶段ID电流很大,在平台期间MOS管损耗较大,同时...
t0~t1阶段:栅极电流对Cgs和Cgd充电,Vgs上升到开启电压Vgs(th),此间,MOS没有开启,无电流通过,即MOS管的截止区。在这个阶段,显然Vd电压大于Vg,可以理解为电容Cgd 上正下负。 t1~t2阶段:Vgs达到Vth后,MOS管开始逐渐开启至满载电流值Io,出现电流Ids,Ids与Vgs呈线性关系,这个阶段是MOS管的可变电阻区,或者叫线性区。
一直到t1时刻,Vgs上升到阈值开启电压Vg(th)。在t1时刻以前,MOS处于截止区。 t1—t2阶段 t1时刻,MOS管就开始导通了,也就标志着Id要开始上升了。这个时间段内驱动电流仍然是为Cgs充电,Id逐渐上升,在上升的过程中Vds会稍微有一些下降,这是因为下降的di/dt在杂散电感上面形成一些...
从t1开始时刻,Vgs开始上升的时候,Vds和Id保持不变,这个过程中驱动电流ig为Cgs充电,Vgs上升。一直到t1结束,Vgs上升到Vg(th),也就是门极开启电压时候。在整个t1时间,MOS处于截止区。 从t2时刻开始,MOS就开始导通了,标志就是Id开始上升。电流从原来的电感出来流经二极管,现在开始要慢慢的向MOS换流。所以MOS的漏极...
MOS各个参数详解 1. 极限参数 - ID: 最大漏源电流。场效应管在正常工作时，允许通过的最大电流值。工作电流应小于ID，ID会随结温上升而减额。- IDM: 最大脉冲漏源电流。体现抗冲击能力，与脉冲时间相关，随结温上升减额。- PD: 最大耗散功率。场效应管在性能不变坏时允许的最大漏源耗散功率。
t0~t1阶段:栅极电流对Cgs和Cgd充电,Vgs上升到开启电压Vgs(th),此间,MOS没有开启,无电流通过,即MOS管的截止区。在这个阶段,显然Vd电压大于Vg,可以理解为电容 Cgd 上正下负。 t1~t2阶段:Vgs达到Vth后,MOS管开始逐渐开启至满载电流值Io,出现电流Ids,Ids与Vgs呈线性关系,这个阶段是MOS管的可变电阻区,或者叫线性...
在相对较小的VDS值下，器件的I/V特性是线性的，ID（漏极电流）随着VD（漏极电压）的增加而增加，...
t2至t3:当Vgs增加到一定程度后,出现米勒效应,此时Id已达饱和,Vgs会在一段时间内保持稳定不再增加,而Vds继续下降,为Cgd充电。正因为需要给Cgd充电,所以Cgs两端的电压变化相对较小(在MOS管开通时,Vd>Vg,Cdg先通过MOS管放电,然后再反向充电,这个过程中夺取了原本给Cgs的充电电流,从而形成了Vgs的平台); ...
1 极限参数:ID: 最大漏源电流.是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过 ID .此参数会随结温度的上升而有所减额.IDM: 最大脉冲漏源电流.体现一个抗冲击