VDSon/RDSon 随着结温的升高而略有增大的特性使得 MOSFET 的直接并联使用变得可能.双极型器件在此方面恰好相反,故其并联使用变得相当复杂化. RDSon 也会随着 ID 的增大而略有增大,这一特性以及结和面 RDSon 正温度特性使得 MOSFET 避免了象双极型器件那样的二次击穿. 额定电压高的MOS有更高的RDS正温度特性。 但要...
1, 本阶段从ID电流角度来看,VGS电压已将MOS管完全打通,ID保持不变,VGS保持不变, 同时VDS电压开始下降; 2, 此阶段VGD先减小(VD>VG阶段)后反向增大(VG>VD阶段),对于CGD来说先放电后充电,对于CGS则不再消耗电荷(具体原理,下节“米勒平台”详细分析); 3, 米勒平台阶段ID电流很大,在平台期间MOS管损耗较大,同时...
t0~t1阶段:栅极电流对Cgs和Cgd充电,Vgs上升到开启电压Vgs(th),此间,MOS没有开启,无电流通过,即MOS管的截止区。在这个阶段,显然Vd电压大于Vg,可以理解为电容 Cgd 上正下负。 t1~t2阶段:Vgs达到Vth后,MOS管开始逐渐开启至满载电流值Io,出现电流Ids,Ids与Vgs呈线性关系,这个阶段是MOS管的可变电阻区,或者叫线性...
t0~t1阶段:栅极电流对Cgs和Cgd充电,Vgs上升到开启电压Vgs(th),此间,MOS没有开启,无电流通过,即MOS管的截止区。在这个阶段,显然Vd电压大于Vg,可以理解为电容Cgd 上正下负。 t1~t2阶段:Vgs达到Vth后,MOS管开始逐渐开启至满载电流值Io,出现电流Ids,Ids与Vgs呈线性关系,这个阶段是MOS管的可变电阻区,或者叫线性区。
MOS各个参数详解 1. 极限参数 - ID: 最大漏源电流。场效应管在正常工作时，允许通过的最大电流值。工作电流应小于ID，ID会随结温上升而减额。- IDM: 最大脉冲漏源电流。体现抗冲击能力，与脉冲时间相关，随结温上升减额。- PD: 最大耗散功率。场效应管在性能不变坏时允许的最大漏源耗散功率。
1 极限参数:ID: 最大漏源电流.是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过 ID .此参数会随结温度的上升而有所减额.IDM: 最大脉冲漏源电流.体现一个抗冲击
t0~t1 阶段:栅极电流对Cgs和Cgd充电,Vgs上升到开启电压Vgs(th),此间,MOS没有开启,无电流通过,即MOS管的截止区。在这个阶段,显然Vd电压大于Vg,可以理解为电容 Cgd 上正下负。 t1~t2 阶段:Vgs达到Vth后,MOS管开始逐渐开启至满载电流值Io,出现电流Ids,Ids与Vgs呈线性关系,这个阶段是MOS管的可变电阻区,或者叫线...
在这个阶段,显然Vd电压大于Vg,可以理解为电容 Cgd 上正下负。 t1~t2 阶段:Vgs达到Vth后,MOS管开始逐渐开启至满载电流值Io,出现电流Ids,Ids与Vgs呈线性关系,这个阶段是MOS管的可变电阻区,或者叫线性区。 t2~t3 阶段:在MOS完全开启达到电流Io后,栅极电流被完全转移到Ids中,导致Vgs保持不变,出现米勒平台。在米勒...
ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下,管表面温度在25℃或者更高温度下,可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数: ID中并不包含开关损耗,并且实际使用时保持管表面温度在25℃(Tcase)也很难。因此,硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半,通常在...
亚阈值斜率或亚阈摆幅(S,室温下理想值为60mV/dec),它代表MOSFET在亚阈区工作时,输出饱和电流减小10倍时所需要改变的栅-源电压的大小, 也即ID-VG曲线斜率的倒数。 S值越小,器件的开关速度就越快。即S值的大小反映了MOSFET在亚阈区的开关性能。若想减小S值、提高MOSFET的亚阈区工作速度,可采取减小MOS栅极结构中...