实验 高频 MOS C-V 电容―电压特性测试 高频 MOS 电容―电压特性测试是研究 MOS 器件、半导体界面性质的重要方法，使用该方法可求得SiO 2膜厚度、掺杂浓度、导电类型及氧化层固定电荷、可动电荷密度等电学参数。使用的设备简单，但作BT 测量时一定要细心、耐心方能得出满意的结果。 本实验的目的及任务是用C ―...
实验高频MOSCV电容电压特性测试高频MOS电容电压特性测试是研究MOS器件、半导体界面性质的重要方法,使用该方法可求得SIO2膜厚度、掺杂浓度、导电类型及氧化层固定电荷、可动电荷密度等电学参数。使用的设备简单,但作BT测量时一定要细心、耐心方能得出满意的结果。本实验的目的及任务是用CV测试仪、函数记录仪等测出MOS样品CV...
高频MOS C-V 电容―电压特性测试解析.pdf,实验 高频 MOS C-V 电容―电压特性测试 高频 MOS 电容―电压特性测试是研究 MOS 器件、半导体界面性质的重要方法,使 用该方法可求得SiO2膜厚度、掺杂浓度、导电类型及氧化层固定电荷、可动电荷密度等电 学参数。使用的设备简单,
高频MOS C-V 电容―电压特性测试 由 MOS 结构的等效电路可知,MOS 结构总电容是由固定电容COX 与微分电容Cd 串联组 成,即: C = c ox + c d 由图2 看出, P 型Si 理想MOS 结构高频C―V ... 高性能MOS 结构高频C-V 特性测试仪 图 2 所示,为待测MOS 电容, C 和 分别 图1 理想的MOS 结构 高频...
MOS管的特性; MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论: 1) MOS管是一个由改变电压来...
C ox Qs C ox MOS电容的阈值电压(2) Metal SiO2 O x P-Si G VGB EX B v ox Y s 半导体表面强反型时 的栅体电压称为MOS 电容的阈值电压VT VT VFB 2 f Qbmax Cox VFB Vms Q0 C ox Vf kBT q ln( NB ni ) Qbmax qN B ...
11、动态电特性 Ciss :输入电容将漏源短接,用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成,或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启,放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
漏电流造成的功耗可以用IDSS乘以漏源之间的电压计算,通常这部分功耗可以忽略不计。 IGSS ―栅源漏电流 IGSS是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流。 第三部分 动态电特性 Ciss :输入电容 将漏源短接,用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成,或者...
IGSS是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流。 第三部分 动态电特性 Ciss :输入电容 将漏源短接,用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成,或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启,放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路...
图 3 结电容与漏源电压之关系曲线 四、 雪崩击穿特性参数: 。 EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,说明 MOSFET 所能承受的最大雪崩击 穿能量. IAR :雪崩电流. EAR :重复雪崩击穿能量. 五、 热阻: 1、 结点到外壳的热阻。它说明当耗散一个给定的功率时,结温与外壳温度之间的差值 大小。公式表达⊿ ...