实验 高频 MOS C-V 电容―电压特性测试 高频 MOS 电容―电压特性测试是研究 MOS 器件、半导体界面性质的重要方法，使用该方法可求得SiO 2膜厚度、掺杂浓度、导电类型及氧化层固定电荷、可动电荷密度等电学参数。使用的设备简单，但作BT 测量时一定要细心、耐心方能得出满意的结果。 本实验的目的及任务是用C ―...
实验高频MOSCV电容电压特性测试高频MOS电容电压特性测试是研究MOS器件、半导体界面性质的重要方法,使用该方法可求得SIO2膜厚度、掺杂浓度、导电类型及氧化层固定电荷、可动电荷密度等电学参数。使用的设备简单,但作BT测量时一定要细心、耐心方能得出满意的结果。本实验的目的及任务是用CV测试仪、函数记录仪等测出MOS样品CV...
实验三 MOS 结构高频 C-V 特性测试 MOS 结构电容-电压特性(简称 C-V 特性)测量是检测 MOS 器件制造工艺的 重要手段。它可以方便地确定二氧化硅层厚度 d ox 、衬底掺杂浓度 N、氧化层中 可动电荷面密度 QI 、和固定电荷面密度 Q fc 等参数。 本实验目的是通过测量 MOS 结构高频 C-V 特性及偏压温度处理(...
MOS电容是MOSFET的核心部分,MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺 兼容,可以用来研究CMOS工艺掺杂、氧化、淀积等关键工艺;还可以用来研究器 件的界面特性、热载流子效应以及电荷分布等,是进行实时工艺监控、测试工艺 参数和提取器件电学相关参数的重要测试结构。本文重点介绍MOS电容高频C ...
MOS管的特性; MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论: 1) MOS管是一个由改变电压来...
11、动态电特性 Ciss :输入电容将漏源短接,用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成,或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启,放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
IGSS是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流。 第三部分 动态电特性 Ciss :输入电容 将漏源短接,用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成,或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启,放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路...
漏电流造成的功耗可以用IDSS乘以漏源之间的电压计算,通常这部分功耗可以忽略不计。 IGSS ―栅源漏电流 IGSS是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流。 第三部分 动态电特性 Ciss :输入电容 将漏源短接,用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成,或者...
C ox Qs C ox MOS电容的阈值电压(2) Metal SiO2 O x P-Si G VGB EX B v ox Y s 半导体表面强反型时 的栅体电压称为MOS 电容的阈值电压VT VT VFB 2 f Qbmax Cox VFB Vms Q0 C ox Vf kBT q ln( NB ni ) Qbmax qN B ...
电气特性 (大 = 25°C) 特征 栅极漏电流 排水截止电流 漏源击穿电压 栅极阈值电压 漏源导通电阻 正向转移导纳 输入电容 反向传输电容 输出电容 上升时间 开启时间 开关时间 下降时间 打开-O FF时间 总栅极电荷 (栅极 - 源极加上栅极 - 漏极) 栅极- 源极电荷1 栅- 漏极( “米勒” )费 门开关充电 t ...