VGSth是MOS管的导通要求。电路栅极电压必须高于VGSth。不然的话,MOS将不会导通,不同型号不同厂商的Datasheet都有自己定义VGSth的方式。下面举这个例子,IPP040N06NF2SAKMA1 MOSFET 定义 V GSth如下表所示: 栅极到源极阈值电压(VGSth) 表中的VGSth是在特定的结温、漏极电压和漏极电流,但是通常都不属于这种情况,这...
虽然看起来这个温度很高,但是dattasheet中的给出的结温最大结温是175℃,如果这个结温太高的话,你可以选择具有较低结温的MOS管。 六、为高功率PWM负载选择MOS管 下图显示了PWM MOS管中的功耗是如何根据频率耗散的,这里要注意忽略功率损耗的实际值,因为实际上还是取决于MOS管。 PWM MOSFET 中各种损耗的图表 这里我也...
功率需求：根据应用场景的功率需求，确定MOS管的耐压和最大电流。功率需求较高时，选择大功率MOS管；反之，选择小功率MOS管。开关速度：根据应用场景需要的开关速度，选择MOS管的恢复时间、开启时间和关闭时间。高速电路需要开关速度较快的MOS管。温度特性：考虑应用场景的温度范围，选择适合的最高工作温度。高温环境下，...
1.电压和电流 MOS管的电压和电流是选型时需要考虑的重要因素。电压是指MOS管能承受的较大电压，一般分为栅极-源极电压（Vgs）和漏极-源极电压（Vds），选型时需要根据实际应用场景选择合适的电压等级。电流是指MOS管能承受的较大电流，也是选型时需要考虑的重要因素，需要根据实际应用场景选择合适的电流等级。2.导...
选择低RDS(on)的MOS管以提高效率。考虑MOS管的开关速度和电容对性能的影响。根据封装类型、散热要求和电路板空间选择合适的封装。确保MOS管的工作温度范围符合系统要求。考虑特殊应用需求，如电压限制和电路结构。评估制造商的可靠性和质量保证。考虑成本和供货稳定性。在进行MOS管选型时，建议查阅器件数据手册并进行详细...
MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型 在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是...
MOS管选型 MOS管基本参数 MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)作为开关元件的应用非常广泛,其开关特性与三极管相比有所不同。MOSFET的主要工作原理是通过在栅极(Gate)上施加电压,控制源极(Source)与漏极(Drain)之间的电流流动。MOSFET在开关电源、电机驱动、隔离、可调电阻、信号放大(使用...
mos管选型注重的参数 1、最大漏源电压(V(BR)DSSQ):这是MOS管在关闭状态时,漏极和源极之间所能承受的最大电压。选择的MOS管的V(BR)DSS应该高于电路中可能出现的最大电压,通常需要留有一定的裕量。 2、最大漏极电流(ID):这是MOS管在正常工作条件下能连续通过的最大电流。确保所选MOS管的ID大于电路中预期...
场效应管主要分为两大类：结型场效应管（JFET）和金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）。其中，MOS管主要分为JFET和MOSFET两大类，其中MOSFET应用更广泛，可分为增强型和耗尽型，进一步细分为NMOS和PMOS。而MOSFET，即Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，则因其广泛的应用领域而广为人知，通常被简称...