CMOS异或门电路的MOS管结构可以通过以下方式组合: -将一个P型MOS管的源极连接到电源VDD,栅极连接到输入信号A。 -将一个N型MOS管的源极连接到公共接地线GND,栅极连接到输入信号A。 -将另一个P型MOS管的源极连接到电源VDD,栅极连接到输入信号B。 -将另一个N型MOS管的源极连接到公共接地线GND,栅极连接到输入...
1.一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路,其特征在于:包括第一忆阻器M1与第二忆阻器M2,所述第一忆阻器M1的负端作为第一输入端V1与第一PMOS管P1的源极连接,所述第二忆阻器M2的负端作为第二输入端V2与第二PMOS管P2的源极连接;还包括第一NMOS管N1与第二NMOS管N2,第一忆阻器M1的正端、第二忆阻器M2的正...
本实用新型涉及一种基于忆阻器与MOS管 的异或门逻辑电路,包括第一忆阻器M1与第二忆 阻器M2,第一忆阻器M1的负端作为第一输入端 V1与第一PMOS管P1的源极连接,第二忆阻器M2 的负端作为第二输入端V2与第二PMOS管P2的源 极连接;还包括第一NMOS管N1与第二NMOS管 ...
一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路及其实现方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路及其实现方法说明:本发明涉及一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路,包括第一忆阻器M1与第二忆阻器M2,第一忆阻器M...专利查询请上爱企查
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【专利摘要】本实用新型涉及一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路,包括第一忆阻器M1与第二忆阻器M2,第一忆阻器M1的负端作为第一输入端V1与第一PMOS管P1的源极连接,第二忆阻器M2的负端作为第二输入端V2与第二PMOS管P2的源极连接;还包括第一NMOS管N1与第二NMOS管N2,第一忆阻器M1的正端、第二忆阻器M2的...
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