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就是让MOS管工作在线的状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。 2、频率太高。主要是有时太过追求体积,导致频率提高,MOS...
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MOSFET 栅极驱动器是小信号系统与大功率电路之间的桥梁,具有高效和卓越的热性能,常常与多相 Buck 控制器结合在一起,共同完成给 CPU 内核供电的任务。 DrMOS 是将 MOSFET 功率开关及其驱动器集成于单一封装内的产品类型,具有寄生效应小、开关特性好的特性,高频工作效率高,可靠性和电磁兼容特性好,用它构成的电源...
“MOSFET”是英文Metal Oxide Semicoductor Field Effect Traistor的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。MOS管作为半导体领域最基础的器件之一,无论是在IC设计里,还是板级电路应用上,都十分广泛,
型号: Hi7005S 制造商: 智芯Hichips 批号: - 描述: 0.5A共阳极LED驱动 分享: 0 0 库存: 0只 货期: - 价格: 暂无价格 PDF: 询价数量: 兼容型号 :Hi7001,Hi7002,Hi7005, 封装形式 :SOT23-6封装, 拓扑结构 :共阳极开关降压恒流驱动IC, 串接LED颗数 :12颗LED串联, ...
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