我们可以通过0.18工艺的5V MOS管仿真MOS电容:进行ac仿真,加到Gate上面的电压交流信号幅度为1,扫描变量直流电压V,并且频率固定为一定值1/2π。根据下列公式,即可得到电流I的值就等于电容值。 1、当source,drain和背栅接在一起。 低频时C-V变化曲线 2、当加在栅压上的交流电压频率为159T时,电容的曲线为: 高频...
接下来可以得到MOS的 C-V特性曲线: C-V characteristic 注意到进入强反型时的电压 V_{TH} 非常接近但不等于耗尽区达到最大宽度时的电压(进入反型时的电压). 现实情况下的C-V曲线略有不同,这是理想MOS的曲线 C_{ox} 始终为定值 \frac{\varepsilon_{ox}}{t_{ox}} ,而 C_{dep} 需要根据不同情况决...
本文来讨论下MOS的C-V曲线与衬底浓度以及GOX特性的关系,这样大家既可以用它来评估GOX特性,也可以用C-V曲线来判定Vt 的Case是由于什么造成的,其实同时也是为了介绍这个MOS晶体管的栅极结构的C-V特性,既有助于我们理解这个理论,又可以用实际案例来验证。 讲到MOS电容,他的结构就是Gate-Oxide-Semiconductor的夹心电容...
以及VG=0时的C-V特性曲线相关知识点: 试题来源: 解析 答案: 1)VG较大的负偏压时,分母第二项趋于零,故C/Co=1 即C=Co,这时C-V不随电压变化-AB段 2)当VG的绝对值较小时,上式分母中第二项较大,不能省略,这时C/Co随/VG/的减小而减小-BC段 3)VG=0,表面势=0,表层电荷不存在,对能量的影响等于零,...
同时在强反型时,耗尽层厚度达到最大值,当高频信号变化时,耗尽层厚度会产生轻微的变化来响应高频信号,所以在高频情况下强反型时MOS C-V电容只有耗尽层贡献。表达式如下: 所以高频C-V曲线如图5实线所示。 图6 MOS高低频C-V特性 关于反型层电荷的产生问题 在p-sub内部,载流子的产生与复合一直在发生并处于动态...
通过0.18工艺的5V MOS管，可仿真MOS电容：执行ac仿真，Gate上电压交流信号幅度为1，扫描直流电压V，频率固定为一定值1/2π。电容值通过以下公式计算，电流I等于电容值。1. 当source、drain与背栅连接。2. 加在栅压上的交流电压频率为159T时，电容曲线表现为：常见可变电容类型在积累区工作，电压变化...
MOS电容C-V曲线仿真方法-KIA MOS管 在电路设计中,常见到利用 MOS 电容做去耦电容(也有利用来做miller补偿的电容),因此对 mosfet 的 c-v 特性曲线有必要进行确认。 关于具体的 c-v 曲线的仿真方法,首先可以从电容的定义(或者说特性)来确定测试方法,这也是 ee240 里面提到的仿真方法。
MOS电容C-V曲线绘制 方法一: dc扫描 AVDD 从-3扫到3V tools-result Brower-dcOpinfo-选定M0的Cgg 得到图线: 方法二:ac仿真 保存节点电流 ac 幅值1V 输出看GATE节点电流曲线: 需要处理数据: z=1/(sc) z=v/i i=sc*v=2*pi*f*c*v c=i/(2*pi*f*v) ...
实际上MOS结构的C-V曲线测量可以分三种情况讨论，第一种就是只加直流电压信号，且电压的改变速率较小，反应在测量中就是步长较小；第二种就是在第一种所加的直流电压信号上叠加小信号的交流电压；第三种是在第二种情况下加快直流电压信号的改变速率，也就是增大电压改变的步长。这三种情况所得到的的...