25、nconstVGSDmVVLWCVIgDSRecall:mmbgg/Body effect 增量增量变缓as VSB增加增加 .正衬偏(正衬偏(VSB0)增增大了阈值,相当大了阈值,相当于减小栅源电压于减小栅源电压)42. 2(212bVVVSBFSBTHmSBTHmBSTHTHGSoxnBSDmbgVVgVVVVLWCVIg)()(意义是阈值电压随衬意义是阈值电压随衬偏电压的变化率偏电压的变化率!3720...
随着MOS工艺向着亚微米、深亚微米的方向发展,必须考虑。二阶效应出于两种原因:1)当器件尺寸缩小时,电源电压还得保持为5V,于是,平均电场强度增加了,引起了许多二次效应。2)当管子尺寸很小时,这些小管子的边缘相互靠在一起,产生了非理想电场,也严重地影响了它们的特性。MOS管二阶效应 降低VT的方法:1)降低...