MMBT5551-7-F 由DIODES 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrsavnetelement14 等渠道进行代购。 MMBT5551-7-F 价格参考￥ 0.18433 。 DIODES MMBT5551-7-F 封装/规格: SOT-23, 晶体管 - 双极 NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=50~250 fT=100
MMBT5551-7-F是一款NPN小信号双极晶体管,600mA集电极电流,180V集极-基极电压。适用于低功率放大和开关应用。 UL94V-0阻燃等级 外延平面结构 MMBT5401 PNP型 无卤素,绿色设备 -55至150°C工作温度范围 应用 国防,军用与航空,车用,电源管理,工业 MMBT5551-7-F中文参数 ...
型号: MMBT5551-7-F 封装: NA 批号: 1936 数量: 20000 制造商: Diodes Incorporated 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: NPN 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 160 V 集电极—基极电压 VCBO: 180 V 发射极 - 基...
型号:MMBT5551-7-F 品牌:DIODES(美台) 通用三极管 通用三极管 DIODES MMBT5551-7-F数据手册1234(1起订) ¥0.12400 ▼ 当前型号加入购物车 型号:MMBT5551_R1_00001 品牌:PANJIT PIN to PIN 通用三极管 数据手册3037(100起订) ¥0.13501 ▼ MMBT5551-7-F(DIODES)和MMBT5551_R1_00001(PANJIT)的区别 ...
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MMBT5551-7-F由DIODES设计生产。MMBT5551-7-F封装/规格:集电极截止电流 (Icbo)/500nA(ICBO):湿气敏感性等级 (MSL)/1(无限):晶体管类型/NPN:集射极击穿电压Vce(Max)/160V:DC电流增益(hFE)/50:集电极电流 Ic/600mA:Vce饱和压降/200mV:功率耗散/300mW:跃迁频率/100MHz:工作温度/-55℃~+150℃:安装类型/...
制造商型号:MMBT5551-7-F 制造商:DIODES(美台) 商品编号:G3430396 供应商编号:MMBT5551-7-F 封装/规格:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 商品描述:MMBT5551 Series NPN 160 V 300 mW Small Signal Transistor Surface Mount- SOT-23-3 阶梯价格 数量香港国内含税 3000+ $0.02997 ￥0.24570 规格参数 产品...
MMBT5551-7-F是一款双极型PNP晶体管,通常用于电子电路中的信号放大、开关和放大器应用。它包括三个主要引脚 - 基极(Base, B)、发射极(Emitter, E)和集电极(Collector, C)。 MMBT5551-7-F是一款PNP型晶体管,意味着在正向偏置情况下,电流从基极流入,流向发射极,然后从集电极流出。通常用于电子电路中的各种应用,...
MMBT5551-7-F Descripción TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3 Plazo estándar del fabricante 8 semanas Referencia del cliente Descripción detallada Transistores - Bipolar (BJT) - Simple NPN 160 V 600 mA 300MHz 300 mW Montaje en superficie SOT-23-3 Hoja de datos Hoja de datos Modelos ED...
DIODES(美台) 商品型号 MMBT5551-7-F 商品编号 C87893 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.028克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录三极管(BJT) 晶体管类型NPN 集电极电流(Ic)600mA 集射极击穿电压(Vceo)160V 耗散功率(Pd)300mW ...