MMBT3904LT1G中文参数 晶体管类型NPN引脚数目3 最大直流集电极电流200 mA每片芯片元件数目1 最大集电极-发射极电压40 V高度0.94mm 封装类型SOT-23最大集电极-发射极饱和电压0.3 V 安装类型表面贴装最高工作温度+150 °C 最大功率耗散300 mW最低工作温度-55 °C ...
MMBT3904LT1G-CN由ChipNobo(无边界)设计生产,立创商城现货销售。MMBT3904LT1G-CN价格参考￥0.0311。ChipNobo(无边界) MMBT3904LT1G-CN参数名称:集电极电流(Ic):200mA;集射极击穿电压(Vceo):40V;耗散功率(Pd):200mW;直流电流增益(hFE):100@10mA,1V;特征频率(fT):3
MMBT4403LT1G的技术参数 产品型号:MMBT4403LT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):200封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150价格/1片(套):￥.20 ...
电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve MMBT3904 3/6 Sxinen 外形尺寸图 / Package Dimensions MMBT3904 4/6 Sxinen 印章说明 / Marking Instructions MMBT3904 1AM 说明: 1AM: Note: 为型号代码 1AM: Product Type Code 5/6 Sxinen MMBT3904 回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for...
SMMBT3904LT1G参数 安装类型表面贴装型频率 - 跃迁300MHz 不同Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,50mA晶体管类型NPN 电压- 集射极击穿(最大值)40V不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 10mA,1V 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA ...
商品参数 品牌: 电子元器件 系列: Automotive 包装: 托盘 零件状态: 在售 功能: 见描述 感应方法: 低端 精度: 见描述 输入电压: 1.85v 输出电流: 20ma 工作温度: -40c 安装类型: 见描述 封装/规格: soic-8 供应商器件封装: 见描述 最小包装量: 10000 数量: 10000 封装: 中文资...
外形参数 高度0.94 mm 长度2.9 mm 宽度1.3 mm 物理类型 产品种类双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格SMD/SMT 产品类型BJTs - Bipolar Transistors 单位重量30 mg 库存: 285224 货期: 工作日(7~10天) 最小起订: 1个 整装: ￥10 单价:￥1.835836总价:￥1.84 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 三极管 、 其他三极管 商品关键词 MMBT3904LT1G、 ON SEMICONDUCTOR 商品图片 商品参数 品牌: ON SEMICONDUCTOR 数量: 2150 制造商: onsemi 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性...
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