唯样商城为您提供Diodes Incorporated设计生产的MMBF170-7-F 元器件,主要参数为:±20V 300mW(Ta) 5Ω@200mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.5A,MMBF170-7-F库存充足,购买享优惠!
MOSFETs DIODES MMBF170-7-F 数量国内含税 1+￥0.20169 10+￥0.18618 30+￥0.18307 100+￥0.17376 券30000-500券10000-200券5000-100 1 500 200 100 华秋自营合作库存海外代购 交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):1个工作日内 库存: 4(1起订)...
MMBF170_NL 描述 MOSFET N-CH 55V 540mA SOT-23 MMBF170-7-F 编带 MMBF170-7-F 更多代替型号 Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3Pin SOT-23 T/R 数据手册 查看PDF文件 查看PDF文件 查看PDF文件 制造商 Infineon (英飞凌) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童) ...
MMBF170-7-F 封装规格: SOT-23 包装方式: 编带 商品编号: DIOD00048 注册/登录即可获得各大平台价格趋势对比分析 属性 参数值 品牌 DIODES(美台) 封装 SOT-23 包装方式 编带 型号 MMBF170-7-F 耗散功率(Pd) 300mW 导通电阻(RDS(on)) 5Ω@10V,200mA ...
Leiditech(雷卯电子) 商品型号 LM-MMBF170-7-F 商品编号 C5353608 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.03克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)340mA ...
MMBF170-7-F 200Kb/5PN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET More results 类似说明 - MMBF170-7-F 制造商部件名数据表功能描述 Fairchild SemiconductorNDH833N 221Kb/5PN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Chino-Excel TechnologyCEPFZ44
品牌名称 DIODES(美台) 商品型号 MMBF170-7-F 商品编号 C151058 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.028克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 数量1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)500mA ...
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型号: MMBF170-7-F-VB 商品编号: 封装规格: SOT23-3 商品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V)封装:SOT23-3适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极...
MMBF170-7-F N-Channel 60 V 5 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor-SOT-23-3 MMBF170-7-F Datasheet ECAD Model: Mfr. Name: Diodes Incorporated Standard Pkg: Product Variant Information section 3000 per Reel Date Code: 2338 Product Specification Section Diodes Incorporated MMBF170-...