其中,ESR为寄生电阻,一般小于1Ω。ESL为寄生电感,受频率影响。C为电容容值,一般认为,平板电容器不受趋肤效应影响,而MLCC本质上是很多个平板电容器叠加,所以一般认为MLCC容值基本不受频率影响。 因此,我们可以通过MLCC的阻抗和容值反推ESL的大小。村田官网提供了各个封装、各个容值的阻抗,通过此计算公式可以反推出ESL...
等效串联电阻，简称ESR，是衡量电容器性能的重要指标。理论上，一个理想的电容应该没有能量损失，但实际中，由于电容材料存在电阻，以及绝缘介质产生损耗，使得电容变得不完美。这种损耗在外部电路中表现为一个电阻与电容串联，因此被称为等效串联电阻。ESR越小，表示损耗越小，电容的输出电流能力越高，进而影响电容的品...
为了适应AI应用带来的电路改变，MLCC产品需要做出相应的调整。谭斌指出，这些变化主要体现在四个方面：一是电容要在更小的体积内实现更大的容值，以满足高算力GPU/CPU的需求；二是能承受更高的工作温度和功率上涨带来的电流增加；三是具备超低ESR，以忍受大电流带来的大纹波；四是提供低ESL和高的自谐振频率SRF，以...
它是一种采用介电常数较高的材料，具有较高静电电容特性的电容器。主要用作电源电路的去耦电容器或平滑电路。与温度补偿电容器相比，由温度引起的电容变化较大，因此在滤波器等信号电路中使用时需要非常小心。（2）低ESR、低ESL 多层陶瓷电容器 具有良好的高频特性。与其他电容器相比，它具有可以降低电阻（ESR*1）...
一般来说,使用硅电容方案在这种厚度下对比MLCC可以提供更大的电容值,考虑到MLCC四引脚电容已经在使用,硅电容本身引脚的改变比较容易,可以考虑引脚兼容,在引脚兼容的情况下,其ESL和ESR原则上会有所改善,但是在追求电容密度的情况下,其耐压值会低于硅电容,在这种场景中,成本会是一个非常关键的因素,需要达成这种特殊的...
一般说MLCC的ESL(等效串联电感)、ESR(等效串联电阻)小，是相对于电解电容（包括钽电解电容）而言的。事实上，高频时，MLCC的ESL、ESR不可以忽略。一般C0G电容的谐振点能达上百MHz,一般X7R电容的谐振点能达几十MHz,而Y5V电容的谐振点仅仅是数MHz甚至不到1MHz。谐振点意味着，超过了这个频率，电容已经不是电容特性了...
为满足现在5G通信对MLCC大容量、高速度的要求,高Q MLCC将向着更高使用频率方向发展,在射频(RF)端MLCC的Q值将直接影响到带宽,因此,高Q值、低ESR和低ESL的MLCC产品在通信领域的地位将变得更为重要。而用在微波通讯、功率放大器、发射机等f≥300MHz频率下的带线或微带电路中微波芯片电容(单层和多层结构)因其薄膜金...
一般说MLCC的ESL(等效串联电感)、ESR(等效串联电阻)小,是相对于电解电容(包括钽电解电容)而言的。事实上,高频时,MLCC的ESL、ESR不可以忽略。一般C0G电容的谐振点能达上百MHz,一般X7R电容的谐振点能达几十MHz,而Y5V电容的谐振点仅仅是数MHz甚至不到1MHz。谐振点意味着,超过了这个频率,电容已经不是电容特性了,而是...
通常MLCC的 ESR 值会根据容量有所差异。1μF 以上大容量情况下,会达到数?到数十?, 如图所示,ESR 值比 AL Cap.或 Tantal Cap. 更低。 *电容的保管及使用条件 我们下面所述的是muRata 3端子低ESL芯片多层陶瓷电容器 1. 3端子低ESL芯片多层陶瓷电容器(EMIFIL)的性能(以下简称“电容器”)可能会受到存放条件...