部件名MJL21194 下载MJL21194下载 文件大小159.44 Kbytes 页6 Pages 制造商MOTOROLA [Motorola, Inc] 网页http://www.freescale.com 标志 功能描述16AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS250VOLTS200WATTS Silicon Power Transistors The MJL21193 and MJL21194 utilize Perforated Emitter technology and are specifically...
文件大小132.79 Kbytes 页6 Pages 制造商ONSEMI [ON Semiconductor] 网页http://www.onsemi.com 标志 功能描述SiliconPowerTransistors 类似零件编号 - MJL21194 制造商部件名数据表功能描述 Motorola, IncMJL21194 159Kb/6P16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200 WATTS ...
文件大小150.37 Kbytes 页2 Pages 制造商ISC [Inchange Semiconductor Company Limited] 网页http://www.iscsemi.cn 标志 功能描述iscSiliconNPNPowerTransistor 类似零件编号 - MJL21194G 制造商部件名数据表功能描述 ON SemiconductorMJL21194G 152Kb/6P16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS, 200...
规格参数 代替型号 (4) 反馈错误 by FindIC.com MJL21194G 全球供应商 全球供应商 (15家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£ 英镑CAD-C$ 加币CHF-₣ 法郎HKD-$ 港币INR-RS 卢比JPY-¥ 日元KRW-₩ 韩元RUB-₽ 卢布TWD-$ 新台币 ...
ON Semiconductor (安森美) 双极性晶体管 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS查看详情 TO-264-3 1995年 ¥7.300 数据手册(11) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (2) 反馈错误 by FindIC.com MJL21194 全球供应商 全球供应商 (3家) ...
品牌名称 SPTECH(深圳质超) 商品型号 MJL21194 商品编号 C2907886 商品封装 TO-3PL 包装方式 管装 商品毛重 9.96克(g) 商品参数 参数完善中 数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格 梯度 折扣价 原价 折合1管 1+￥8.037￥8.46 10+￥6.555￥6.9 25+￥6.156￥6.48￥162 ...
数据手册:下载MJL21194.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 MJL21194 数据手册 MJL21193(PNP), MJL21194(NPN) Silicon Power Transistors The MJL21193 and MJL21194 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications....
通过下载MJL21194G数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 MJL21193, MJL21194 Preferred Device Silicon Power Transistors The MJL21193 and MJL21194 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high ...
本公司生产销售pdf 电子元器件 PDF,提供pdf专业参数,pdf价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.pdf pdf 品牌安森美|产地广东省|价格1.00元|型号MJL21193 MJL21194|高度2mm|宽度3mm|长度9.3mm|最小电源电压1.5V|最大电源电压6V|最小工作温度-40C|最大工作温度80C|产品种
商品目录三极管(BJT) 晶体管类型NPN 集电极电流(Ic)16A 集射极击穿电压(Vceo)250V 耗散功率(Pd)200W 属性参数值 直流电流增益(hFE)80@8A,5V 特征频率(fT)4MHz 集电极截止电流(Icbo)10uA 集射极饱和电压(VCE(sat))4V 工作温度- 数据手册PDF 放大查看下载PDF ...