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型号PN:MJD45H11-1G 描述:额定功率 1.75W 集电极电流IC 8A 集射极击穿电压VCE 80V 晶体管类型 PNP PNP VCEO=80V IC=8A 样品: 1-9个2.639257 10-99个2.411787 批量: 100-499个2.200725 500-999个2.010921 1000-2499个1.809012 2500个以上1.704221
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产品型号:MJD45H11-1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大电流IC(Max)(A):8直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50总功耗PD(W):20封装/温度(℃):3DPAK/-55~150价格/1片(套):￥3.60...
零件号 MJD45H11-1G 类别 分立半导体产品 描述 晶体管 (bjt) - 单立立分半导体产品 8A 80V 1.75W PNP;跨 Pwr PNP 8A 80V Str Dpak -3 公司 ON Semiconductor 数据表 下载MJD45H11-1G 数据表 交叉参考 类似零件: BCP53-10 购买 找到哪里买 购买...
功率- 最大值:1.75W 频率- 跃迁:90MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 专业从事代理分销安森美半导体MJD45H11-1G,常备MJD45H11-1G大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.更多功能相关的安森美半导体产品 NJVMJD45H11G MJD47 MJD44H11T5G MJD41CRLG NJVMJD47...
制造商编号 MJD45H11-1G 制造商 ON(安森美) 唯样编号 B-MJD45H11-1G 供货 富昌电子 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 ...
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