3nm，2nm, 1nm，先进制程逐渐逼近「硅」的物理极限！近日，「北大才女」孔静教授带领团队找到了代替「硅」的新兴半导体材料——铋（Bi），未来将挑战1nm以下的制程，有助于突破「摩尔定律」极限。当「硅」达到物理极限，该怎么解？这一困惑科学界的难题，近日就由「北大才女」孔静教授领导的一支国际联合攻关团队「...
惠飞师姐于16年4月初到17年3月底访问的课题组,戴宏杰老师的学生。 也是长二维材料的大牛,science一作carbon nanotube做sensor,
台大电机系暨光电所吴志毅教授表示,在使用「铋(Bi)」为「接触电极」的关键结构后,二维材料电晶体的效能,不但与「硅基半导体」相当,又有潜力与目前主流的硅基制程技术相容,有助于未来突破「摩尔定律」极限。 「北大才女」孔静 孔静教授目前是MIT电子工程和计算机科学系教授,同时也是电子研究实验室(Research Laboratory ...
现在,麻省理工学院(MIT)的孔静教授领导的国际联合攻关团队探索了一个新的方向:使用原子级薄材料铋(Bi)代替硅,有效地将这些2D材料连接到其他芯片元件上。 这项最新研究「Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors」已发表在Nature期刊上。 孔静教授是项目的领导者,研究方向制定者并设计...
3nm,2nm, 1nm,先进制程逐渐逼近「硅」的物理极限!近日,「北大才女」孔静教授带领团队找到了代替「硅」的新兴半导体材料——铋(Bi),未来将挑战1nm以下的制程,有助于突破「摩尔定律」极限。 当「硅」达到物理极限,该怎么解? 这一困惑科学界的难题,近日就由「北大才女」孔静教授领导的一支国际联合攻关团队「破解」...
孔静教授目前是MIT电子工程和计算机科学系教授,同时也是电子研究实验室(Research Laboratory of Electronics,RLE) 学术带头人。 她于1997年获得北京大学化学学士学位,2002年获得斯坦福大学化学博士学位。 从2002年到2003年,她是美国国家航空航天局埃姆斯研究中心的研究科学家; ...
这个重大突破先由孔静教授领导的MIT团队「发现」在「二维材料」上搭配「半金属铋(Bi)」的电极,能大幅降低电阻并提高传输电流。 台积电技术研究部门则将「铋(Bi)沉积制程」进行优化。 最后,台大团队运用「氦离子束微影系统」将元件通道成功缩小至纳米尺寸,终于获得突破性的研究成果。