MIL-M-38510-RevJ美军用标准规范.pdf,该文档为美国军用电子元器件标准规范,中国也常进口美国的军用电子元器件,故有很大的参考价值!
该标准文件MIL MIL-M-38510/224-1986由美国国防部于1986年6月9日发布,主要规范了微电路中的数字262,144位MOS紫外可擦除可编程只读存储器(EPROM)单片硅的技术要求。该标准详细定义了EPROM的电气特性、功能性能、环境适应性以及可靠性要求,确保其适用于军事和航空航天等高可靠性应用场景。通过严格的测试和验证流程,...
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美国国防部标准化文件MIL MIL-M-38510/27B-2008是针对微电路、数字、TTL、低功耗、多个或非门、单片硅的技术规范。该标准发布于2008年4月18日,详细规定了低功耗TTL数字微电路的设计、制造和测试要求,特别是多个或非门在单片硅上的实现。此标准旨在确保相关微电路在军事和国防应用中的可靠性、一致性和性能,适用于...
MIL MIL-M-38510/40B-2005 是美国国防部发布的标准化文件,属于微电路领域的标准。该标准详细规定了数字TTL(晶体管-晶体管逻辑)高速与-或-反相门单片硅器件的技术要求、测试方法和质量控制要求。其目的是确保这些器件在军事和航空航天等高可靠性应用中的性能稳定性和可靠性。该标准适用于设计、制造和验收过程中,为...
MIL-M-38510/652B-2005是美国国防部标准化文件中的一项重要标准,发布于2005年11月4日。该标准涉及微电路技术,特别是高速CMOS(互补金属氧化物半导体)数字逻辑电路的设计和应用。标准中详细规定了与门和或门的单片硅实现,并适用于正逻辑系统。此标准取代了之前的MIL-M-38510/652A版本,提供了更严格的技术要求和测试...
MIL MIL-M-38510/27-1972 是美国国防部于1972年8月21日发布的一项标准化文件,属于微电路领域的标准。该标准主要针对数字TTL(晶体管-晶体管逻辑)低功耗多或非门单片硅微电路的设计、制造和测试进行了详细规定。 TTL技术是20世纪60年代至80年代广泛使用的一种数字电路技术,具有高速、稳定和易于集成的特点。低功耗TT...
MIL-M-38510/175B-1984是美国国防部于1984年4月30日发布的标准化文件,适用于数字CMOS正逻辑触发器和单稳态多谐振荡器的单片硅微电路。该标准取代了MIL-M-38510/175A,并随后被MIL-M-38510/175C取代。文件详细规定了微电路的设计、制造和测试要求,确保其在军事和国防应用中的可靠性和一致性。该标准为相关电子设...
美国国防部标准化文件MIL-M-38510/29C-1984发布于1984年4月16日,主要规范了微电路数字TTL低功率解码器的技术要求。该标准适用于单片硅制造的微电路,旨在确保其在高可靠性应用中的性能一致性。该文件取代了之前的MIL-M-38510/29B版本,并在后续被停用。
MIL MIL-M-38510/108-1976由美国国防部标准化文件(含MIL标准) US-DOD 发布于 1976-04-09。 MIL MIL-M-38510/108-1976 微电路、线性、晶体管阵列、单片硅(S/S 符合 MIL-M-38510/108A 标准)的最新版本是哪一版? 最新版本是MIL MIL-M-38510/108A-2003。