本测试方法目的是确定场效应晶体管或IGBT 在规定条件下的击穿电压是否大于规定的最低限值。对于IGBT,需将MOSFET的漏极和源极替换成集电极和发射极,即D=C,S=E。 2 测试电路 见图3401-1。 图3401-1 栅源击穿电压测试电路图 注:电流表应在测量电流的接线端处应呈现基本短路的状态,否则应根据电流表上的压降对...
1 目的 本测试方法目的是在规定电压、电流和脉冲持续时间的条件下进行MOSFET器件热阻测试。使用源漏间二极管正向压降的温度敏感性作为结温指征。本方法更适用于具有相对较长的热响应时间的增强型功率场效应器件。…
MIL-STD-750D METHOD 1051.5 TEMPERATURE CYCLING (AIR TO AIR)1. Purpose. This test is conducted to determine the resistance of a part to extremes of high and low temperatures, and to the effect of alternate exposures to these extremes.1.1 Terms and definitions.1.1.1 Load. The ...
MIL-STD-750F_1 1000-1999 2012 热度: MIL-STD-750F_3 3000-3999 2012 热度: INCH–POUND MIL–STD–750F 3January2012 SUPERSEDING MIL–STD–750E 20November2006 DEPARTMENTOFDEFENSE TESTMETHODSTANDARD TESTMETHODSFORSEMICONDUCTORDEVICES AMSCN/A ...
MIL–STD–750F ii FOREWORD 1.ThistestmethodstandardisapprovedforusebyallDepartmentsandAgenciesoftheDepartmentofDefense. 2.ThisissueofMIL–STD–750seriesestablishesuniformtestmethodsfortestingtheenvironmental,physical,and electricalcharacteristicssemiconductordevices. ...
本公司生产销售高温老炼系统 老炼系统,提供高温老炼系统专业参数,高温老炼系统价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.高温老炼系统 高温老炼系统 品牌泰络TELO|产地广东|价格9999.00元|型号TL-HW02|电压检测范围0-1500V|试验电源1-1500V 四组|操作系统WIN10/11|测试系
检测标准 MIL-STD-750 检测费用 根据产品资料评估 检测资质 CNAS 服务项目 二次筛选、可靠性验证、失效分析 检测报告 CNAS检测报告 实验室地点 东莞、苏州 联系人 冯工 可售卖地 全国 类型 电子元器件 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着...
STD-750F为军用半导体系统和军用电子设备建立了合适的测试程序.本标准各部分中的方法和程序包括基本的环境,物理和电气试验,以确定对军事和空间行动周围自然因素和条件的有害影响的耐受性.在本标准中,术语"设备"包括晶体管,二极管,电压调节器,整流器,隧道二极管和其他相关部件.本标准仅适用于半导体器件.\n本多部分...
发货地 江苏苏州 商品类型 商务服务 、 检测服务 、 其他检测服务 商品关键词 MIL、 STD、 750、 半导体器件、 二次筛选、 检测实验室、 第三方检测机构 商品图片 商品参数 品牌: 优科检测认证 检测类型: 第三方检测 检测产品: 电子及电气元件 检测标准: MIL-STD-750 检测费用: 根据产品资料...
MIL-STD-255A交流和直流电压 MIL-STD-220A-1959插入损耗的测量方法 MIL-STD-210B-1973军用设备的气候极限 MIL-STD-210B-1973军用设备的气候极限 MIL-STD-210A军用设备的气候极限 MIL-STD-209E-1976用于起吊和栓系军用装备的吊装和栓系设备 MIL-STD-202F-1980电子及电气试验方法 MIL-STD-202C电子设备电气...