MicroLED 显示技术是基于常规LED 显示技术基础上发展而来。1999年，Jin 等人首次通过感应耦合等离子体（ICP ）干法刻蚀工艺制备了直径为12μm 、间 距为15μm 的MicroLED 阵列器件，研究发现相比于常规LED 器件，MicroLED 阵列可以承受更高的工作电流密度，这可以归因于MicroLED 器件电极接触的方式及小尺寸器件更有效的...