梳齿型深硅刻蚀工艺研究 为实现Faims气体传感器梳齿型离子迁移区的设计,文中采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术进行大深宽比梳齿型结构的深硅刻蚀。影响刻蚀的工艺参数主要包括RF功率、腔室压... 张旭,张迪雅 - 《仪表技术与传感器》 被引量: 0发表: 2018年 ...
A CMOS sensor has unit pixels each structured by a light receiving element and three transistors, to prevent against the phenomenon of saturation shading and the reduction of dynamic range. The transition time (fall time), in switching off the voltage on a drain line shared in all pixels, is...
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