型号: MGSF1N03LT1G 描述: 此类小型表面贴装 MOSFET 的低 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能,使得这些器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理,如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。 ' 交易保障 买家保障 卖家承诺履约合规诈骗保赔,保...
系列 MGSF1N03L 晶体管类型 1 N-Channel 宽度 1.3 mm 下降时间 8 ns 上升时间 1 ns 典型关闭延迟时间 16 ns 典型接通延迟时间 2.5 ns 单位重量 8 mg 可售卖地 全国 型号 MGSF1N03LT1G PDF资料 电子管-场效应管-MGSF1N03LT1G-ON/安森美-SOT-23-21+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在...
型号: MGSF1N03LT1G 批号: 09+ 封装: SOT23-3 数量: 7 QQ: 3008907731 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 2.1 A Rds On-漏源导通...
价格 (元) 库存 进货数量 MGSF1N03LT1G SOT-23 工业级 卷带 表面贴装型 原厂标准 创合赢 新年份 0 98000 规格型号 MGSF1N03LT1G 价格 (元) 库存 进货数量 0 98000 0片| 0元 已选清单 立即订购 加入进货单 收藏产品 品牌 创合赢 电源电压 原厂标准 规格型号 MGSF1N03LT1G === 产品信息 ...
晶体管类型:1 N-Channel 宽度:1.3 mm 下降时间:8 ns 上升时间:1 ns 典型关闭延迟时间:16 ns 典型接通延迟时间:2.5 ns 单位重量:8 mg MGSF1N03LT1G 这些微型表面贴装MOSFET低RpS(on)确保了最小的功率损耗并节约了能量,使这些器件更适合用于空间敏感的电源管理电路。典型应用是便携式和电池供电产品中的直流-...
MGSF1N03LT1G参数 FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.6A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)100 毫欧 @ 1.2A,10V 不同Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250µAVgs(最大值)±20V ...
型号: MGSF1N03LT1G 封装: SOT23-3 批号: 09+ 数量: 666 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 2.1 A Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms Vgs ...
型号 MGSF1N03LT1G 技术参数 品牌: ON 型号: MGSF1N03LT1G 封装: SOT23 批号: 1422 数量: 5866 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 2.1 A ...
型号 MGSF1N03LT1G-VB 1.00元 99999PCS可售 10PCS10.00元已选清单 支付方式 支付宝微信银行转账 立即订购 加入购物车 商家电话 在线咨询 深圳市微碧半导体有限公司 3年 持有专利认证真实性核验 主营商品:mt3400-vb、ao3416-vb、aod421-vb、bsh105-vb、bsh114-vb、cj8810-vb、nce01p13k、cj2306-vb、ftd...
型号 MGSF1N03LT1G PDF资料 电子管-场效应管-MGSF1N03LT1G-ON/安森美-SOT-23-2218+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上...