东芝两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V,额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品,它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。 这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅(...
东芝两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V,额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品,它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。 这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅(...
数据表MG400V2YMS3 数据表/英文PDF: 567KB Aug,2024 Simulation ModelLTspice Model (Note)ZIP: 104KB Aug,2022 相关技术数据SiC MOSFET module Gate drive application notePDF: 420KB Nov,2024 相关技术数据SiC MOSFET module application note Electrical characteristicsPDF: 1094KB ...
Data sheet MG400V2YMS3 Data sheet/Japanese PDF: 688KB Aug,2024 Data sheet MG400V2YMS3 Data sheet/English PDF: 567KB Aug,2024 Simulation Model LTspice Model (Note) ZIP: 104KB Aug,2022 Application Note SiC MOSFET module Gate drive application note PDF: 420KB Nov,2024 Applica...
MG400V2YMS3 Datasheet 1.0 · MG400V2YMS3 Features and benefits (1) VDSS = 1700 V, ID = 400 A All SiC MOSFET Module(Low loss & High speed switching) (2) Low stray inductance, low thermal resistance, maximum Tch= 150 �, built in thermi. MG400V2YMS3 Application * High-Power ...
MG400V2YMS3 数据表/日文[Aug,2024]PDF: 688KB 数据表 MG400V2YMS3 数据表/英文[Aug,2024]PDF: 567KB Simulation Model LTspice Model[Aug,2022]ZIP: 104KB 相关技术数据 SiC MOSFET module Gate drive application note[Nov,2024]PDF: 420KB 相关技术数据 SiC MOSFET module application note ...