MG-WDSON-2-5 MG-WDSON-2-6 MG-WDSON-2-8 MG-WDSON-2-9 MG-WDSON-4-2 MG-WDSON-4-903 MG-WDSON-4-904 MG-WDSON-4-906 MG-WDSON-4-908 MG-WDSON-4-907 MG-WDSON-5-1 MG-WDSON-5-3 MG-WDSON-5-4 MG-WDSON-5-8 MG-WDSON-5-903 MG-WDSON-5-905...
MG-WDSON-2-9_Interactive 3D_02 02_00 | Aug 29, 2023 | STP | 315 kb Diagrams Footprint Dimensions Package Dimensions Packing Tape & Reel Pieces/Reel5000 Reels/Box1 Reel Diameter (mm)330 Downloads Package MG-WDSON-2-9 Package Overview ...
封装: MG-WDSON-2 批号: 23+ 数量: 12000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: WDSON-2-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 83 A Rds On-漏源导通电阻: 5.6 mOhms 配置: ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 存储IC 商品关键词 BAS19E6327、 INFINEON英飞凌、 MG、 WDSON 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON英飞凌 封装: MG-WDSON 批次: 1612+ 数量: 25000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 80C 最小电源...
封装 MG-WDSON 批号 22+ 数量 9370 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 DirectFET-L6 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 40 V Id-连续漏极电流 156 A Rds On-漏源导通电阻 7.9 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 20 V Qg...
封装/外壳 3-WDSON 漏源电压(Vdss) 25 V 可售卖地 全国 型号 BSB013NE2LXIXUMA1 技术参数 品牌: INFINEON/英飞凌 型号: BSB013NE2LXIXUMA1 批号: 2020+ 数量: 75000 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A(Ta),163A(Tc) ...
封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M BSB028N06NN3 G,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:BSB028N06NN3 G 原始制造厂商:英飞凌(Infineon) 技术标准参数:MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 产品应用分类:单端场效应管 点击此处查询BSB028N06NN3 G的技术规格手册Da...
封装: MG-WDSON 批号: 19+ 数量: 36968 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 6V 长度: 3.5mm 宽度: 6.4mm 高度: 2.7mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...
器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? BSF050N03LQ3GXUMA1,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:BSF050N03LQ3GXUMA1 原始制造厂商:英飞凌(Infineon) 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 15A/60A 2WDSON 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 ...
从提供的指标看,大致正常。空腹血糖6.1就是正常值范围上限,再高一点就是,这个结果虽然在正常值范围之内,但是你也要饮食控制,运动锻炼,以防进一步加重,比如说胖,或者是胰岛素抵抗,更有可能出现这个结果,大部分人都是因为胖才出现这个结果,胰岛素抵抗本身就是胰腺功能受损的标志之一,这个可以从一方面提示胰腺功能有受损,...