CD4II位于两个配体苯基环之间，CII···苯基环=3.34(1)和3.86(1) Å。CD4I和CD4II的分子间距离为4.92(1) Å。在进一步加载CD4后，两个位点上CD4分子的占有率增加，CD4I和Fe-O(H)-Fe位点之间的距离也略有增加，Fe-OH···CD4I=3.33(1) Å。额外的CD4负载导致第三个结合位点(CD4III)，...
金属有机框架(MOF)材料作为一种多孔、低密度的材料,比表面积高,同时可以通过调节金属中心或配体种类对其孔道结构及性能进行精准的调控,可以说是一种潜在的极佳储氨材料。 近日,英国曼彻斯特大学的杨四海/Martin Schrӧder团队报道了一系列高氨吸附量、高稳定性的MOF材料,MFM-300(VIV, Fe,VIII, Cr)。其吸附量在...
DFT计算表明,CH4I在Fe-O(H)-Fe位点吸附后,系统能量降低了4.9 kJ mol−1,证实了CH4I在降低C-H键活化能方面的独特作用。CD4II位于两个配体苯基环之间,CII···苯基环=3.34(1)和3.86(1) Å。CD4I和CD4II的分子间距离为4.92(1) Å。在进一步加载CD4后,两个位点上CD4分子的占有率增加,CD4I和Fe-O...
CD4II位于两个配体苯基环之间,CII···苯基环=3.34(1)和3.86(1) Å。CD4I和CD4II的分子间距离为4.92(1) Å。在进一步加载CD4后,两个位点上CD4分子的占有率增加,CD4I和Fe-O(H)-Fe位点之间的距离也略有增加,Fe-OH···CD4I=3.33(1) Å。额外的CD4负载导致第三个结合位点(CD4III),它被CD4...
CD4II位于两个配体苯基环之间,CII···苯基环=3.34(1)和3.86(1) Å。CD4I和CD4II的分子间距离为4.92(1) Å。在进一步加载CD4后,两个位点上CD4分子的占有率增加,CD4I和Fe-O(H)-Fe位点之间的距离也略有增加,Fe-OH···CD4I=3.33(1) Å。额外的CD4负载导致第三个结合位点(CD4III),它被CD4...
CD4II位于两个配体苯基环之间,CII···苯基环=3.34(1)和3.86(1) Å。CD4I和CD4II的分子间距离为4.92(1) Å。在进一步加载CD4后,两个位点上CD4分子的占有率增加,CD4I和Fe-O(H)-Fe位点之间的距离也略有增加,Fe-OH···CD4I=3.33(1) Å。额外的CD4负载导致第三个结合位点(CD4III),它被CD4...
CD4II位于两个配体苯基环之间,CII···苯基环=3.34(1)和3.86(1) Å。CD4I和CD4II的分子间距离为4.92(1) Å。在进一步加载CD4后,两个位点上CD4分子的占有率增加,CD4I和Fe-O(H)-Fe位点之间的距离也略有增加,Fe-OH···CD4I=3.33(1) Å。额外的CD4负载导致第三个结合位点(CD4III),它被CD4...
DFT计算表明,CH4I在Fe-O(H)-Fe位点吸附后,系统能量降低了4.9 kJ mol−1,证实了CH4I在降低C-H键活化能方面的独特作用。CD4II位于两个配体苯基环之间,CII···苯基环=3.34(1)和3.86(1) Å。CD4I和CD4II的分子间距离为4.92(1) Å。 在进一步加载CD4后,两个位点上CD4分子的占有率增加,CD4I和Fe-...