电子在水或类似介质中的射程(cm)约为能量(MeV)的 **1/2**。例如,6 MeV的电子束射程约为3 cm。根据选项逐一分析: - **A.1/4**:射程仅为能量的四分之一,与常见结论不符。 - **B.1/3**:接近但不完全匹配标准比例。 - **C.1/2**:与经典公式一致,正确。 - **D.2/3**/ **E.3...
医用电气设备 能量为1 MeV至50 MeV电子加速器基本.doc,GB 9706.5—XXXX/IEC 60601-2-1:2009+AMD1:2014 ICS FORMTEXT 点击此处添加ICS号 FORMTEXT 点击此处添加中国标准文献分类号 中华人民共和国国家标准 GB FORMTEXT 9706.5-XXXX FORMTEXT 代替 GB9706.5-2008 FORMTEXT 医
This has resulted in several attractive opportunities for the use of MeV implantation in VLSI and wafer scale integration. The beam current handling capabilities of presently available MeV machines limit these applications to those requiring doses of the order of 5 脳 10 13ions/cm 2 or less, ...
The MeVX High Energy Industrial CT Systems are capable of producing energies up to 9 MeV to penetrate even the most dense parts. Learn more here.
百度试题 结果1 题目用光子能量为100MeV的平行窄束γ射线,垂直贯穿30mm厚铝板,已知该射线在铝中的半价层为1.2cm,求穿透射线强度与入射线强度之比?(0.177) 相关知识点: 试题来源: 解析 解:30/12=2.5 I/I=1/22.5=0.177 反馈 收藏
根据电子射程可计算高能电子束体模表面最大可几能量,计算公式Ep.0=C1+C2Rp+C3Rp2,其中C3的量纲是AMeVBMeV*cmCMeV*cm2DMeV*cm-1E
A.1/2-1/3 B.1/3-1/4 C.1/4-1/5 D.1/5-1/8 E.1/8-1/10 参考答案 查看答案
电子束的有效治疗深度(cm)与电子束的能量(Mev)之比为: A.1/2-1/3B.1/3-1/4C.1/4-1/5D.1/5-1/8E.1/8-1/10参考答案 查看答案 上一题 下一题 定义: ①语法停顿:有一些长句子内部没有标点,我们可以根据语法关系决定如何停顿。 ②逻辑 普通话证书丢失,能不能报名考试教师资格证啊? 教学过程是...
The gettering behavior of 1MeV?C implantation induced defects for Au (1.5MeV, 2.2×10 15 cm -2 ), implanted into FZ Si(111), has been investigated using Rutherford backscattering spectrometry and cross-sectional transmission electron microscopy. The gettering efficiency of the C implanted layer ...
14MeV中子引起的反应戳面测量原理3.1活化应截面计算公式推导quot;利用活化法测量反应截而的过程分三个阶段,在匸0时刻,将样品放入中子场进行照射 所经历的时间为辐照时间,在176;时取出样品冷却直到时刻开始测量样品的放射性,这期 间为