field effect transistor (FET) 场效应晶体管 silicon field effect transistor 硅场效应晶体管 slot field effect transistor 沟道场效应晶体管 相似单词 semiconductor n. 半导体 transistor n. 【电】晶体管;晶体三极管,半导体管 【口】晶体管收音机;半导体收音机【亦作 transistor radio】 adj. 【口】 装晶...
metal semiconductor field effect transistor 【电】 金属半导体场效晶体管 Floating gate avalanche injection metal oxide semiconductor 浮动栅雪崩注入型金属氧化硅内存(=FAMOS)一类可规划只读存储器,其中的储存单元类似场效晶体管,硅栅用玻璃封闭在源漏极之间。 metal oxide semiconductor device 【电】 金属氧化物半...
MOSFET，全称为Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor，中文直译为“金属氧化物半导体场效应晶体管”。这个术语在电子工程领域中占据重要地位，特别是在计算机硬件方面。它是一种半导体器件，通过改变其下的电场来控制电流的流动，从而实现开关功能。该缩写词在英文中有着广泛的应用，特别是在硬件...
MOSFET全称Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管或MOS管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件,通常工作电流大于1A。 由于功率器件的分类方式非常多样,且各分类方式的分类逻辑并不存...
PURPOSE: To improve pinch-off characteristics, by forming a channel layer in a triangular prism type, isolating the layer from a substrate, and bringing gate metal into contact with each side surface of the triangular prism type channel layer.TAKAHASHI KEIZO高橋 圭三...
MOSFET(Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)金属-氧化物-半导体场效应晶体管的电流公式 图1. n沟道MOSFET的基本模型,源极到漏极的间距(沟道长度)为L,沟道宽度(垂直于纸面平面的z方向)为W。 图1所示的基本MOSFET中的n型源极和漏极区域由称为沟道长度L的横向距离分隔。沟道长度沿图中的y轴延伸,...
必应词典为您提供Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor的释义,un. 金属氧化物半导体场效应晶体管; 网络释义: 绝缘栅型;
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The metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) block models an n-channel MOSFET. The I–V characteristic of an n-channel MOSFET is such that if the gate–source voltage exceeds the specified threshold voltage, the MOSFET is in the on state. Otherwise, the device is in the of...
The Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) is currently attracting the most attention among transistors. There are two types of MOSFET: N channel (See Fig.3-4(a) Nch below) and P channel (See Fig.3-4(b) Pch below). Nch is widely used for AC/DC power supplies, DC...