根据本发明的第二方面,提供有一种用于制造mems电容式压力传感器的方法,该方法包括:形成第一电极;形成可变形的第二电极,该可变形的第二电极通过第一电极和第二电极之间的腔室与第一电极电绝缘;以及形成从第一电极和第二电极中的至少一个突出进入腔室中的至少一个基座。 通过本发明的某些实施例,获得了相当的优点。...
33.本发明的pmut结合mems压力传感器的超声换能器单元采用有源晶圆(预制有cmos电路的第一晶圆和预制有mems压力传感器的第二晶圆)进行融熔键合、减薄,然后制造pmut,mems压力电阻位于pmut的机械层中,mems压力传感器与pmut共用空腔体,采用三维垂直互连的立体架构,实现mems压力传感器、pmut阵列与cmos电路的三维单片集,将mems压...
1.一种pmut结合mems压力传感器的超声换能器单元,其特征在于由第一晶圆与第二晶圆键合形成,所述第一晶圆的硅衬底层(100)中预制有所述pmut所需cmos电路及cmos电路金属互连层(101),所述第二晶圆的硅衬底层(300)中预制有mems压电电阻桥式互连电路;所述第一晶圆或所述第二晶圆的衬底材料层中所述mems压电电阻桥式...