意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET,这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装,可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性,适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚,可减小接通/关断开关损耗,有...
STW12N170K5 - N沟道1700 V、2.3 Ohm典型值、5 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装, STW12N170K5, STMicroelectronics
某数学兴趣小组为了估算河的宽度.在河对岸选定一个目标点P.在近岸取点Q和S.使点P.Q.S共线且直线PS与河垂直.接着在过点S且与PS垂直的直线a上选择适当的点T.确定PT与过点 Q且垂直PS的直线b的交点R.如果测得QS=45m.ST=90m.QR=60m.则河的宽度PQ是A.70mB.80mC.90mD.100m
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A . 10mB . 30mC . 50mD . 70m点击查看答案 你可能感兴趣的试题 第1题:在讲到本尊与狂禅时,师父给大家一面镜子作参考,其用意何在? 答案解析与讨论:点击查看 第2题:根据MLC公约,在有5名或以上海员的船上应成立()。A . A.船舶安全委员会B . B.船舶伙食管理委员会C . C.船东安全监督委员会D . ...
某数学兴趣小组为了估算河的宽度.在河对岸选定一个目标点P.在近岸取点Q和S.使点P.Q.S共线且直线PS与河垂直.接着在过点S且与PS垂直的直线a上选择适当的点T.确定PT与过点Q且垂直PS的直线b的交点R.如果测得QS=45m.ST=90m.QR=60m.则河的宽度PQ是( )A.70mB.80mC.90mD.100m
STW42N65M5 - N-channel 650 V, 70 mOhm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-247 package, STW42N65M5, STMicroelectronics
STB47N60DM6AG - Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package, STB47N60DM6AG, STMicroelectronics
批量生产 储存到myST N沟道100 V、0.007 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装 Order Direct 产品概述 描述 所有功能 精选 产品 您可能还会喜欢... 特别推荐 描述 该N沟道功率MOSFET利用STripFET F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而...