此外，它还支持关键字中断和帧超时中断，以及TXD和RXD的互换和内部回环功能，同时具备LSB/MSB的硬件转换能力。卓越的85℃ Latch Up测试表现，闩锁门限高达±600mA在MCU的设计与实际应用中，静电放电（ESD）的防护性能至关重要，它直接关系到产品的稳定性。高温Latch Up（闩锁）测试是评估这一性能的重要手段。CW32L01...
APM32F402采用55nm先进工艺，搭载Arm® Cortex®-M4F内核，工作主频120MHz，Flash 128KB、SRAM 32KB；内置温度传感器，集成2个DMA（12个数据流）；电源电压范围2.0V~3.6V，工作温度范围-40℃~85℃/105℃，适应各种复杂的工作温度环境，ESD HBM±4000V、Latch-up±200mA，具有较高的抗电磁干扰能力。该系列新...
Louis LU强调G32R501工作温度范围覆盖-40℃ ~ 125℃，拥有卓越的抗干扰性能，ESD实测结果HBM＞8KV，CDM＞2KV，Latchup＞200mA。Louis LU表示为了方便工程师的开发，极海半导体提供了完善的生态开发体系，助力工程师高效开发，实现更短的项目落地周期，如全方位生态支持提供多种库资源：驱动库、数学库、中间件、安全...
7、85℃ Latch Up测试成绩优异，闩锁门限测试成绩高达±600mA在MCU的设计和应用中，静电放电（ESD）的防护能力是衡量产品可靠性的重要指标之一。其中高温Latch Up（闩锁）测试可以说明一定问题，CW32L010在高温Latch Up（闩锁）测试中表现出色，闩锁门限测试成绩高达±600mA，远高于行业一般水平，相比竞品一般水平为3~...
7、出色的Latch Up测试成绩：高温闩锁门限测试成绩高达±600mA - 远高于行业一般水平，提供强大的ESD防护能力，是相比竞品一般水平的3~6倍。8、高性能ADC：16路ADC输入，各通道采样率可达2M - 采样保持时间可独立配置，适应不同应用需求。9、内部时钟源特性优异：内置RC时钟源技术特性优于竞品 - 无论是HSI还是LSI...
澎湃微始终坚持技术创新，进一步提升攻关能力，不断增强公司在MCU领域的市场竞争力。比如在32位MCU方面，有着以下技术优势和特点：1）超强抗干扰能力。芯片的ESD（HBM模式）可以达到8KV以上，CDM超过2KV，Latch up达到±200mA，EFT超过4KV，达到国际先进水平。2）不掉电超低功耗。芯片在不掉电，保持所有数据的条件下...
这种丰富的接口配置使其能够灵活地与各种外部设备进行通信，适应不同的应用场景和系统架构需求，具有业界领先的抗 ESD、抗 latchup、低 EMI、5V 耐压 I/O 等性能。此外，HC32F460 还具备多种低功耗模式、高性能模拟特性、灵活的引脚功能、全面的数据安全机制等。在工业控制领域，HC32F460 可用于空调外机双电机控制...
分析:上电瞬间,IO口电压高于VCC,容易触发Latch up。 场景五:电路图 以上五种场景都是可能触发闩锁效应(latch-up)问题的场景,改善措施及参考原理图如下: 1. 抑制MCU端VCC在上电或下电瞬间产生过冲或下冲现象,在电源和芯片VCC之间串入1欧姆电阻,并在芯片VCC上加0.1uF和1uF去耦电...
APM32F402采用55nm先进工艺,搭载Arm® Cortex®-M4F内核,工作主频120MHz,Flash 128KB、SRAM 32KB;内置温度传感器,集成2个DMA(12个数据流);电源电压范围2.0V~3.6V,工作温度范围-40℃~85℃/105℃,适应各种复杂的工作温度环境,ESD HBM±4000V、Latch-up±200mA,具有较高的抗电磁干扰能力。
7、出色的Latch Up测试成绩:高温闩锁门限测试成绩高达±600mA - 远高于行业一般水平,提供强大的ESD防护能力,是相比竞品一般水平的3~6倍。 8、高性能ADC:16路ADC输入,各通道采样率可达2M - 采样保持时间可独立配置,适应不同应用需求。 9、内部时钟源特性优异:内置RC时钟源技术特性优于竞品 - 无论是HSI还是LSI,...