机译:RF-MBE法在(111)Si衬底上生长InGaN纳米线 2. RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長 [J] . 田畑 拓也, 白 知鉱, 本田 善央, 電子情報通信学会技術研究報告 . 2011,第46期 机译:RF-MBE法在(111)Si衬底上生长InGaN纳米线 3. RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナ...
The current status of molecular beam epitaxy (MBE) of CdTe and HgCdTe on Si(100) is reviewed. CdTe and HgCdTe grow in the (111)B orientation on Si(100); mo... R Sporken,MD Lange,JP Faurie - 《Proceedings of Spie the International Society for Optical Engineering》 被引量: 3发表: 19...
In this work a top-cell made of p-n GaAs core/shell NWs grown on a Si(111) substrate by Molecular... V Piazza,M Vettori,AA Ahmed,... - 《Nanoscale》 被引量: 0发表: 2018年 The study of GaN pn-junction grown on Si substrate by MBE with Ni/Ag as ohmic contact The gallium ...
1.高纯度:MBE 技术可以实现高纯度材料的生长,由于生长过程中的原子或分子来源于分子束,因此可以有效避免杂质的引入。 2.精确控制:MBE 技术可以实现对生长过程的精确控制,包括生长速率、薄膜厚度、掺杂浓度等参数,从而获得理想的材料性能。 3.广泛的应用领域:MBE 技术可用于制造多种半导体材料,具有广泛的应用前景。 四...
A current aperture vertical electron transistor (CAVET) with a Mg-ion-implanted current blocking layer (CBL) and a channel regrown by plasma assisted molecular beam epitaxy (MBE), is successfully demonstrated on bulk GaN to work as a high voltage device. The fabrication of the device combined ...
MBE-grown fluoride/GaAs(111)B heterostructures: control of interfacial barrier by Eu and Sm insulator doping 1992, Applied Surface Science Show abstract Internal Photoemission Spectroscopy: Fundamentals and Recent Advances: Second Edition 2014, Internal Photoemission Spectroscopy: Fundamentals and Recent Advan...
丹东111路公交线路恢复原线路运行 各位乘客: 公交集团111路于2023年7月19日(周三)恢复九蛤线九道桥经山城村至金山镇原线路运行。经现场查看,该路段九道沟附近排水涵洞约20米的路面是简易摊铺,公交车运行会有一定颠簸,请各位乘客在公交车途经此路段时站稳扶好。
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二、张玉辉投资情况:张玉辉目前是济南海轩建筑工程有限公司直接控股股东,持股比例为70%;目前张玉辉投资济南海轩建筑工程有限公司最终收益股份为70%,投资济南长勋电子科技有限公司最终收益股份为30%;三、张玉辉的商业合作伙伴:基于公开数据展示,张玉辉与胡长五为商业合作伙伴。