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鹏城半导体技术(深圳)有限公司 提供的 鹏城半导体 分子束外延(MBE)PC-001,该设备可以在某些衬底材料上实现外延生长工艺,实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。分子束外延薄膜生长设备在薄
OFF-WHITE/OFF-WHITE男装男卫衣男OMBE001E19E30005寺库价 ¥ 4,355 ¥ 有货 温馨提示 商品信息 自营 购买数量 微信扫码下单更优惠随心配 大家都在买 相关商品 最近浏览的商品 商品详情 商品参数 secoo.com 产地:葡萄牙 … 版型:标准版 … 风格:时尚 … 上市年份季节:19年秋冬 … 领型:连帽...
MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究 王继红;罗子江;周勋;郭祥;周清;刘珂;丁召 【摘要】采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs (001)基片上同质外延GaAs薄膜.利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究.研究发现,随着退火时间...
如M和A,在高真空下进行外延蒸镀与在超高真空下进行外延蒸镀,其结果并没有多少差别。然而,cu、Ag、Au在超高真空下,使(001)面同基片相平行,则很难生成单晶膜,这说明对Cu、Ag、Au进行外延蒸镀时,基片表面还需要进行适当的污染。 [1] 4、蒸发速度影响...
采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs(001)基片上同质外延GaAs薄膜。利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究。研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台...
MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜
利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM),原子力显微镜(AFM),Hall效应(HallEffect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量,电学性能和光学质量进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通...
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