分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)是一种原子、分子数量级外延薄膜可控生长技术,它是在真空蒸镀技术基础上,由美国贝尔实验室的Cho和Arthur等于1968年发明并投入应用。 分子束外延设备工作示意图(图源参考文献) MBE是在超高真空环...
正是因为材料外延过程是在高超真空下完成这一特征,使的MBE系统上可以附加大量原位分析设备,如反射式高能电子束衍射、俄歇分析仪、光学测温仪等,可以实时反应薄膜结晶质量、生长模式等信息,以便及时调控生长条件,从而增强了MBE外延生长的可控性。 三、MBE设备构造 为了获得超高质...
“欢迎来到分子束外延设备(MBE)的奇妙世界!这种先进设备能够生长高质量的纳米级半导体材料,对于科技领域的发展至关重要。分子束外延设备制造商主要包括美国的Veeco、法国的Riber和芬兰的DCA,德国的Sienta Omi…
MBE生长过程与生长原理 源蒸发形成具有一定束流密度的分子束并在高真空环境下射向衬底; 分子束在对应衬底上进行外延,其中分为三个基本区域:分子束产生区;分子束交叉混合区;反应和晶化过程区 从源射出的分子束撞击衬底表面并被吸附; 被吸附的分子(原子)在表面迁移、分解; 原子进入晶格位置发生外延生长; 未进入晶格...
分子束外延(MBE) 概述 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,简记为MBE)是一种新的晶体生长技术。其方法是将半导体衬底放置在超高真空腔体中,和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中(也在腔体内)。由分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流能在上述衬底上生长出极薄的(可薄至单原子层水平)单晶体和...
分子束外延(以下简称MBE)是一种化合物半导体多层薄膜的物理淀积技术。 其基本原理是在超高真空条件下,将组成薄膜的各元素在各自的分子束炉中加热成定向分子束入射到加热的衬底上进行薄膜生长(如图1所示)。[1] 图1 分子束外延装置生长室的工作原理图 2.特点[2] 整个生长过程是在超高真空环境下进行的,避免了杂质的...
分子束外延 (MBE) 和金属有机化学气相外延 (MOCVD) 是用于针对III-V族半导体合成的不同类型的外延生长技术。这两种技术均将原子逐层沉积到衬底或半导体晶圆上。它们生产具有精确成分和厚度的薄晶体层和半导体异质结构,以提供所需的特定光电特性和设备性能。在本文中,III-V Epi 首席技术官兼英国阿斯顿光子技术研究所...
分子束外延设备是一种能在纳米级别生长出高质量半导体材料的高科技装备，其工作原理如下：核心技术：气态束流沉积：MBE通过高纯度材料的蒸发，形成气态束流，在真空腔室内精确沉积在高温单晶衬底上，从而生长出结晶薄膜。精确调控：通过控制沉积时间和束流强度，可以精确调控薄膜的生长速率和厚度。系统组成：超...
在MBE过程中,固态材料通过热蒸发产生分子束,然后这些分子束沉积在衬底表面。这种技术可以精确地控制薄膜的厚度和成分,因此在半导体和光电领域得到广泛应用。 MBE的工作原理是利用高真空环境中的分子束进行生长。首先,固态材料(通常是金属、合金或化合物)被加热到高温,使其蒸发成气体态。然后,这些气体态的分子通过使用...
分子束外延(MBE)是一种外延制膜方法, 也是一种特殊的超高真空条件下薄膜生长工艺。外延是一种制备单晶薄膜的新技术, 它是在适当的衬底与合适的条件下, 沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。 MBE的优点是: 膜层生长速率慢( 每秒单原子层) , 束流强度易于精确控制, 膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调...