编辑-Z ASEMI整流桥MB10S参数: 型号:MB10S 最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V 最大有效值电压(VRMS):700V 最大直流阻断电压(VDC):1000V 最大平均正向输出整流电流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌电流(IFSM):30A 每个元件的典型热阻(ReJA):110℃/W 每个元件的典型结电容(Cj):25pF 工作结和存储温度范围(TJ,...
MB10S电性参数介绍 整流桥MB10S它的电性参数是：正向电流（Io）为0.5A，反向电压为1000V，正向电压（VF）为1.0V，采用GPP芯片材质，里头有4个芯片，芯片尺寸都是46MIL，它的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流（Ir）为5uA、工作温度在-40~+150℃，恢复时间（Trr）达到500ns，里面引线数量有4条。整流桥MB10S型号...
MB10S整流桥堆参数及引脚图 众所周知,mb10s为整流桥堆,封装SOP-4,其作用是能够通过二极管的单向导通的特性将电平在零点上下浮动的交流电转换为单向的直流电,作用就是整流,具体参数,引脚图请看下方。 高浪涌过载率:30A峰值 最大重复峰值反向电压:1000v 最大直流阻断电压:1000v 当电流=1.0A时,正向压降:1.0v 最...
MB10S在MBS-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款薄贴片整流桥。MB10S的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MB10S采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。MB10S的电性参数是:正向电流(Io)为1.0A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.0V,恢复时间(Trr)达到500ns...
电性参数:1A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):1A 芯片个数:4 正向电压(VF):1.0V 芯片尺寸:50MIL 浪涌电流Ifsm:30A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:4 ASEMI整流桥MB10S出来的电压是多少?整流电压的输出电压大家一定很熟悉。很多人会说输出平均值是全波0.9倍,半波0.45倍有效。但在设计...
mb10s整流桥参数 MB10S整流桥 贴片桥堆MB10S 电流0.5A桥堆 MB 整流元件:全桥 功率特性:小功率 频率特性:中频 交流输入电压:220V(V) 直流输出电压:10(V) 直流输出电流:0.5~20(A) 正向峰值电压:1000(V)
MB10S参数 的电性参数为:0.8A1000V,芯片材质采用台湾GPP进口芯片, 由4个50MIL的GPP芯片组成,属于小体整流桥界的大芯片型号, 正向电流达0.8A,正向电压1000V,浪涌电流是30A,漏电流小 于5uA,恢复时间快达500ns。 MB10S参数、MB10S整流桥台湾进口ASEMI品牌 MB10S采用镭射激光打标,永不褪色,黑胶材质:进口环氧...
桥式整流器/整流桥 VRM=1000V,IO=1.0A,IFSM=30A,VF=1.0V,IR=5uA MB10S由MDD设计生产。MB10S封装/规格:工作温度/-55℃~+150℃:正向压降VF/1V:安装类型/SMT:正向压降VF Max/1.1V:Ifsm - 正向浪涌峰值电流/30A:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/4Pin:高度/3.00mm:长x宽/尺寸/4....
型号:MB10S 封装:MBS-4 特性:贴片整流桥 电性参数:1A 1000V 芯片材质:光阻GPP 正向电流(Io):1A 正向电压(VF):1.1V 芯片尺寸:50MIL 浪涌电流Ifsm:30A 漏电流(Ir):10uA 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:4 从参数对比中我们可以看出除了反向耐压不一样,其他都是一样的,MB6S的反向耐压是600伏,MB10S的反...