Siyu Sun, Xiaoliang Chen, and Jinyou Shao*, Controllable analog-to-digital bipolar resistive switching behavior and mechanism analysis in δ-MnO2-based memristor, Materials Today Physics, 2023, 38, 101264. DOI: 10.1016/j.mtphys.2023.101264.
特别地,具有可控模拟–数字切换功能的电阻开关行为的忆阻器具有实现更高性能神经形态计算的潜在应用。 西安交通大学孙柏教授和邵金友教授课题组围绕忆阻器的制备及其机理开展了相关研究。近期在材料物理高水平SCI期刊《Materials Today Physics》(影响因子11.5)上发表题为“Controllable analog-to-digital bipolar resistive sw...
特别地,具有可控模拟–数字切换功能的电阻开关行为的忆阻器具有实现更高性能神经形态计算的潜在应用。 西安交通大学孙柏教授和邵金友教授课题组围绕忆阻器的制备及其机理开展了相关研究。近期在材料物理高水平SCI期刊《Materials Today Physics》(影响因子11.5)上发表题为“Controllable analog-to-digital bipolar resistive sw...
特别地,具有可控模拟–数字切换功能的电阻开关行为的忆阻器具有实现更高性能神经形态计算的潜在应用。 西安交通大学孙柏教授和邵金友教授课题组围绕忆阻器的制备及其机理开展了相关研究。近期在材料物理高水平SCI期刊《Materials Today Physics》(影响因子11.5)上发表题为“Controllable analog-to-digital bipolar resistive sw...
特别地,具有可控模拟–数字切换功能的电阻开关行为的忆阻器具有实现更高性能神经形态计算的潜在应用。 西安交通大学孙柏教授和邵金友教授课题组围绕忆阻器的制备及其机理开展了相关研究。近期在材料物理高水平SCI期刊《Materials Today Physics》(影响因子11.5)上发表题为“Controllable analog-to-digital bipolar resistive ...