德国Micro Resist公司创立于1993年.公司生产的高性能各种用于微纳制作的光刻胶,除了生产用于i、g和h线的光刻胶以外,还有电子束刻蚀胶和纳米压印胶以及专门用于光学波导制作的光胶可供选择。 ma-N 2400系列 电子束和深紫外曝光 电子束和深紫外灵敏;非常适合作为刻蚀掩模,*的抗干刻、湿刻性能;胶图案良好的热稳定...
电子束光刻胶ma-N 2400 MR-EBL 6000系列: 电子束和深紫外灵敏;非常适合作为刻蚀掩模,极好的抗干刻、湿刻性能;光刻胶图案良好的热稳定性;优异的图案分辨率-80 nm以下;碱性水溶液下显影。 ma-N 2400系列电子束和深紫外光刻特点: 1.高分辨率(〜40-50 nm) 2.碱性水显影 3.抗蚀剂图案具有良好的热稳定性 ...
ma-N 2400系列的用于电子束和深紫外光刻 1)高分辨率(〜40-50 nm) 2)碱性水显影 3)抗蚀剂图案具有良好的热稳定性 4)高耐干湿蚀刻性 5)容易移除 MR-EBL 6000系列用于电子束光刻 1)抗蚀剂图案具有出色的热稳定性 2)高耐干湿蚀刻性 3)高分辨率(〜40-50 nm) 4)需要曝光后烘烤(PEB) 电子束和深紫外...
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光刻胶用于制作各种高性能的微纳,除了生产用于i、g和h线的光刻胶以外,还有电子束刻蚀胶和纳米压印胶以及专门用于光学波导制作的光胶。 ma-N 系列光刻胶电子束和深紫外曝光好、电子束和深紫外灵敏;适合作为刻蚀掩模,极好的抗干刻、湿刻性能;胶图案良好的热稳定性;优异的图案分辨率-50 nm以下;碱性水溶液下显影...
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