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广东深圳至 阳泉城区 快递: 10.00现货,付款后48小时内发货 保障: 7天无理由退货 破损包退 参数: 内存频率:1600MHz 颜色分类:黑色 查看更多 参数信息 品牌 Samsung/三星 型号 4G 2RX8 PC3-12800S DDR3 1600 内存容量 4GB 售后服务 店铺三包 传输类型
服务体验优秀 已售少于100 ￥50点击查看更多 配送: 上海至 北京东城 快递: 免运费预计16小时内发货|承诺48小时内发货 保障: 7天无理由退货 查看更多 参数信息 品牌 Samsung/三星 型号 DDR3 1600 组合形式 单条 售后服务 店铺三包 传输类型 DDR3 适用对象 ...
SAMSUNG 4GB 204-Pin DDR3 SO-DIMM DDR3 1600 (PC3 12800) Laptop Memory Model M471B5273DH0-CK0 (5) Write a Review DDR3 1600 (PC3 12800) CAS Latency 11 1.50VSimilar Products (4)G.SKILL 4GB (2 x 2GB) 204-Pin DDR3 SO-DIMM DDR3 1600 (PC3 12800) Laptop Memory Model F3-...
Capacity: 8Gb (2 sticks4 Gb ) Model: M471B5273DH0-CK0 Speed: PC3-12800S (1600MHz) Inaccurate specs? Let us know Feedback Warranty & Returns Warranty, Returns, And Additional Information Return Policies* Return for refund within: 30 days This item is covered by NEMIX RAM Return Policy...
Capacity: 8Gb (2 sticks4 Gb ) Model: M471B5273DH0-CK0 Speed: PC3-12800S (1600MHz) Inaccurate specs? Let us know Feedback Warranty & Returns Warranty, Returns, And Additional Information Return Policies* Return for refund within: 30 days This item is covered by NEMIX RAM Return Policy...
H代表FBGA无铅无汞封装 M代表Mutiple Die封装，这是三星的Die堆叠专利技术，可以让Die在第三个维度上向上增长。因此同型号的M封装单颗颗粒容量是H封装的2倍，总颗粒数则是H封装的一半。M封装同样也是FBGA无铅无汞的。
Samsung Semiconductor DDR DRAM Module, 512MX64, 0.225ns, CMOS, SODIMM-204 View DetailsUpdate Alert Settings for: m471b5273dh0-ck0 Select Manufacturer Which Manufacturer of m471b5273dh0-ck0 would you like to use for your alert(s)? Inventory Alert Please alert me when m471b5273dh0-ck...
Samsung (三星) 收藏 DRAM Module DDR3 SDRAM 4Gbyte 204USODIMM查看详情 ¥356.284 器件3D模型 规格参数 M471B5273DH0-CK0 数据手册 反馈错误 loading...
Model M471B5273DH0-CK0 Details Capacity 4GB Type 204-Pin DDR3 SO-DIMM Speed DDR3 1600 (PC3 12800) CAS Latency 11 Timing 11-11-F3 Voltage 1.50V ECC No Buffered/Registered Unbuffered Features 2Rx8 Additional Information Date First Available August 15, 2019 Inaccurate specs? Let us know ...