发明人: 吴长树 国省代号: CN320506 摘要: 本发明公开了一种基于NMOSFET的直流输入防反接电路,包括在直流输入端口处正极母线上串联的一颗N沟道增强型场效应管NMOSFET,所述直流输入的电流方向由NMOSFET的源极指向漏极,所述NMOSFET的栅极连接有栅极驱动电源.所述NMOSFET的漏源耐压V收藏...