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本发明公开了一种改进的异质结双极型晶体管(HBT)结构以及形成结合具有递变的锗分布的硅锗层发射极层的结构的方法.递变的锗浓度在发射极层的中性区中形成准漂移场.该准漂移场引起发射极层内的价带隙梯度,以加速从基极层穿过发射极层的空穴的运动.从基极层穿过发射极层的空穴的加速运动减小了发射极的延迟时间并因...
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305-00204TR IE58A 219-00948TR 3265-00005TR IH76-V503-1900028EC-HBT(+配套接插头)TR CDH75M-APN-A13-A16-A20-BFS(+接插头)TR CE58M 5802-00111TR CEV65M-10706 (Art. No. 100-01037)TR LMC-55 2000 Slave left(TypeB) 326S-00001TR 13246584TR CEV582M-60444TR LA46K-153028TR CE65M ...
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吴忠目前担任南京豪雅光电有限公司、南京豪雅光电有限公司眼镜分公司等3家企业法定代表人,同时担任南京豪雅光电有限公司执行董事;二、吴忠投资情况:吴忠目前是南京豪雅光电有限公司直接控股股东,持股比例为99.71%;目前吴忠是4家企业最终受益人,包括其在投资南京豪雅光电有限公司最终收益股份为99.71%,投资南京豪雅光电有限公司...
无线通讯中最关键的器件是半导体高频振荡器件,目前有2种:高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)。它们实际上就是典型的三极管,但由于利用分子束外延技术,n-p-n每一层都可以做得很薄,缩小了电子运动的路径,具有高的截止频率fT。目前这两种器件的截止频率都...