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故答案为:3H2O2+K2Cr2O7+4H2SO4=Cr2(SO4)3+3O2↑+7H2O+K2SO4; 考查方向 本题考查氧化还原反应,在近几年的各省高考题出现的频率较高。 解题思路 M、R、X、Y为原子序数依次增大的短周期主族元素,Z是一种过渡元素.M基态原子L层中p轨道电子数是s电子数的2倍,核外电子排布式为1s22s22p4,故M为O元素;...
P-400M-R1垫片 P-400M-R2盲板 其他型号 共18个型号 | 如需查看具体型号的属性差异,请点击商品名称进行查阅。 商品 颜色 4V400M-1F 4V400M-2F 4V400M-3F 4V400M-4F 4V400M-5F 4V400M-6F 4V400M-7F 4V400M-8F 4V400M-9F 4V400M-10F ...
837Kb/77PCentral Control Unit Mallory performance clu...674 396Kb/4PVIIC CONTROL UNIT More results 英特尔公司(Intel Corporation)是一家总部位于加利福尼亚州圣克拉拉(Santa Clara)的美国跨国公司和技术公司。 它是基于收入的世界上最大,最高价值的半导体芯片制造商之一。
为x=-p/2,设M横坐标为x∵M在抛物线上,∴M到焦点的距离等于M到的距离即x+p/2=2p则x=3p/2则y^2=2p×3p/2=3p^2,即y=±p√3∴M坐标为(3p/2,p√3)或者(3p/2,-p√3) 解析看不懂?免费查看同类题视频解析查看解答 相似问题 4.抛物线y*2=2px(p>0)上一点M到焦点F的距离,|MF|=2p,求点...
型号 CRTM028N03L2P 类型 N沟道 包装 卷 封装 PDFN5*6 极性 N 漏源击穿电压(V) 30 漏极电流(A) 105 导通电阻10V标准值(mΩ) 2.5 导通电阻10V最大值(mΩ) 3 导通电阻4.5V标准值(mΩ) 4.1 导通电阻4.5V最大值(mΩ) 6.5 VGS最小值(V) 0.9 VGS最大值(V) 2 总栅电荷(nC...
设正方体的棱长为2,A.如图(1)所示,连接AC,则MN/AC,故∠POC或其外角)为异面直线OP,MN所成的角,在直角三角形OPC,0C=√2,CP=1,故tan ∠POC =故MN⊥OP不成立,故A错误TPC图(1)BB.如图(2)所示,取NT的中点为Q,连接PQOQ,则OQ⊥NT,PQ⊥MN,由正方体SBCM-NADT可得SN⊥NADT,而OQC平面NADT故SN⊥OQ...
5557端子线双头公母延长线CPU电源转接线2P4P6P8P10P12P14P16P24P 14P 0.5m 京东价 ￥ 降价通知 累计评价 0 促销 展开促销 配送至 --请选择-- 支持 品牌名称: 阙锐珈 商品型号: - 订货编码: 10034463330431 包装规格: - 选择颜色 2P 4P 6P 8P 10P 12P 14P 16P 20P 24P 选择尺...
s电子云呈球形对称分布，没有方向性。m只能有一个值，即m=0，说明s亚层只有一个轨道为s轨道。电子在原子核外排布时，要尽可能使电子的能量最低。一般来说，离核较近的电子具有较低的能量，随着电子层数的增加，电子的能量越来越大；同一层中，各亚层的能量是按s、p、d、f的次序增高的。