在20世纪80年代末期,Scheuermann等研究了一种低温烧结技术,即通过银烧结银颗粒实现功率半导体器件与基板的互连方法。 而银烧结技术也被成为低温连接技术(Low temperature joining technique,LTJT),作为一种新型无铅化芯片互连技术,可在低温(<250℃)条件下获得耐高温(>700℃)和高导热率(~240 W/m·K)的烧结银芯片连...
半导体IGBT使用“银烧结工艺(LTJT)”的详解; 随着现代电力电子技术的飞速发展,功率半导体器件作为其核心组成部分,在电力转换与能源管理领域扮演着越来越重要的角色。其中,绝缘栅双极晶体管(IGBT)以其高功率密度、低导通损耗和快速开关速度等显著优点,在众多功率半导体器件中脱颖而出,成为当今电力电子领域的研究与应用热点...
此外,传统焊接技术的热阻较高,不利于IGBT模块的散热,限制了其性能的提升。 三、银烧结工艺(LTJT)的优势 银烧结工艺(LTJT)作为一种新型连接技术,以其独特的优势正在逐渐取代传统的焊接技术。该技术采用微米和纳米级的银颗粒(银浆、银膜和银粉)通过烧结实现材料连接。相较于传统焊接技术,银烧结工艺具有以下显著优势:...
半导体IGBT使用“银烧结工艺”的详解如下：一、基本原理 银粉或银膏制备：银烧结工艺首先需要制备高质量的银粉或银膏，作为连接芯片与基板的介质。芯片与基板预处理：在涂覆银膏前，需对芯片和基板进行严格的预处理，以确保良好的结合面。银膏涂覆与定位：将银膏均匀地涂覆在芯片或基板上，并进行精确定位...
联系 /// 招投标 公司概况 联系/足迹 公司概况 性质:上市公司 规模:1000-4999人 行业:其他行业 全称:LTJT。 公司介绍 湖北知名上市集团,一直致力于动力型锂离子电池和储能用锂离子电池的研发、制造及电池模组的PACK研发、制造与销售。 展开 信息为全网搜索整合加工而来,可能并不精确,仅供参考。
到期日期Expiration Date(UTC) 2025-09-17 域名状态Domain Status 注册商设置禁止删除clientDeleteProhibited 注册商设置禁止转移clientTransferProhibited DNS服务器Nameserver DNS1:NS3.DNS.COM DNS2:NS4.DNS.COM 英文信息 Domain Name: LTJT.COM Registry Domain ID: 1677591835_DOMAIN_COM-VRSN ...
阻断剂ltjt (共45件相关产品信息) 更新时间:2024年12月10日 综合排序 人气排序 价格 - 确定 所有地区 实力供应商 已核验企业 在线交易 安心购 查看详情 ￥425.00/瓶 上海 Vonoprazan Fumarate富马酸沃诺拉赞|881681-01-2 钾竞争性酸阻断剂 翌圣生物品牌 翌圣生物科技(上海)股份有限公司 1年 查看详情 ￥...
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Influence of nanoparticles content in silver paste on mechanical and electrical properties of LTJT joints[J] . Konrad Kie?basiński,Jerzy Sza?apak,Ma?gorzata Jakubowska,Anna M?o?niak,El?bieta Zwierkowska,Jakub Krzemiński,Marian Teodorczyk.Advanced Powder Technology . 2015 (3)...