型号: LBZX84C15LT1G 封装: SOT-23 批号: 21+ 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 8V 长度: 2.6mm 宽度: 9.9mm 高度: 2.9mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...
LBSS84LT1G 全球供应商 全球供应商 (2家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -1524立即发货1RMB ¥税0.1750.1750.1750.1750.175购买 安富利 美国15000立即发货3000RMB ¥税---0.1950.129购买 ...
LRC三极管/场效应管MOS LBSS84LT1G 130MA 50V SOT-23 深圳市伊特芯电子科技有限公司11年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥57.00 LRC原装 LBSS84LT1G SOT-23 贴片三极管 LBSS84LT1G 小信号MOSFET 深圳市忠源高科电子有限公司11年 月均发货速度:暂无记录 ...
全新原装 LBSS84LT1G 丝印PD SOT-23 P沟道 -50V-130mA贴片 深圳市恒帆达科技有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥1.26 全新原装 LBSS84LT1G 丝印PD SOT-23 P沟道 -50V/-130mA 贴片 深圳市芯恒泰电子科技有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 ...
制造商编号 LBSS84LT1G-MS 制造商 MSKSEMI(美森科) 授权代理品牌 唯样编号 A3-LBSS84LT1G-MS 供货 严选 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 SOT-23分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 LBSS84LT1GMS.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似...
LBSS84LT1G由LRC设计生产。LBSS84LT1G封装/规格:阈值电压/2V:漏极电流/130mA:晶体管类型/P沟道:功率耗散/225mW:额定功率/225mW:栅极源极击穿电压/±20V:极性/P-沟道:引脚数/3Pin:高度/1.00mm:长x宽/尺寸/2.90 x 1.30mm:类型/1个P沟道:不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)/10Ω:漏源电压(Vdss)/50V...
15000+¥ 0.07602 批量议价 自营现货库存:480646 件(一盘有3000件) 货期:1-3天发货 订货数量: -+ 合计:¥253.23 订货数量: 合计:220.83 订货数量: 合计:305.34 订货数量: 合计:185.43 品牌: LRC(乐山无线电) 商品型号:LBSS84LT1G 产品状态:在售 ...
描述 P沟道,-50V,-0.13A,10Ω@-5V 品牌名称LRC(乐山无线电) 商品型号 LBSS84LT1G 商品编号 C8492 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.031克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)50V ...
LBSS84LT1G高热功率MOS管LRC无线电P沟道场效应晶体管封装SOT-23 LBSS84LT1G 999999 LRC(乐山无线电) SOT-23 新批次 ￥0.1300元1000~-- 个 东莞市鑫江电子有限公司 4年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 LBSS84LT1G 丝印BSS84 封装SOT23 P沟道场效应晶体管 贴片 LBSS84LT1G ...
LBSS84LT1 规格参数 生命周期:Contact Manufacturer包装说明:, Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.57 配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):0.13 A FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE 最高工作温度:150 °C极性/信道类型:P-CHANNEL ...