2SK4200LS-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高压应用。采用了 Plannar 技术,具有较高的漏源电压和较高的导通电阻,适用于需要高压耐受和低功率的应用。 ### 2SK4200LS-VB MOSFET 详细参数说明 - **封装类型**: TO220F - **配置**: 单 N 沟道 - **漏源电压 (VDS)**: 650V ...
2SK4200LS-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高压应用。采用了 Plannar 技术,具有较高的漏源电压和较高的导通电阻,适用于需要高压耐受和低功率的应用。 ### 2SK4200LS-VB MOSFET 详细参数说明 - **封装类型**: TO220F - **配置**: 单 N 沟道 - **漏源电压 (VDS)**: 650V ...