LPDDR4(X):一般也是这个范围,因其为低功耗产品,所以目前主要应用1866Mhz及2133Mhz。 2.电压 DDR3:标准电压是1.5V,低电压版本是1.35V。 DDR4:标准电压是1.2V, 有高频内存条电压为1.35V。 LPDDR4:VDD1是1.8V, VDD2和VDDQ均为1.1V。 LPDDR4X:VDD1是1.8V, VDD2是1.1V, VDDQ电压更低至0.6V。 LPDDR4X可以...
1.Ta时刻上电,至Tb时刻上电结束,该过程不大于20ms,在这个过程,Vdd1升压必须同时或早于Vdd2,Vdd2同时或早于Vddq;Ta-Tb阶段RESET_n推荐≤0.2×Vdd2,所有input必须在VILmin和VIHmax之间。 2.Tb时刻开始,RESET_n需要保持为低至少200us至Tc,所有的输出在RESET_n为低期间全部保持高阻态Z,Tc前也就是RESET_n变...
1. After Ta Ta时刻的开始是以VDD1上电为标志,进入到Power Ramp阶段,这段时间要求Reset信号拉低,VDD2上电不早于VDD1上电,VDDQ上电不早于VDD2上电。以VDD1上电开始到VDDQ上电结束,这段时间tINIT0要求最大不能超过20mS。 2. After Tb 以VDDQ上电完成为标志,进入到reset阶段。这里reset信号要保证至少保持t...
双通道由16个组组成,总裸片密度从2Gb到32Gb。 图10-2:单die、单通道、单级方框图(x16 I/O) 图10-3:双die、双通道、单级封装方框图(x32 I/O) 3.LPDDR4&LPDDR4X的参数 低压电源:LPDDR4: 1.8V(VDD1 = 1.70-1.95V);LPDDR4X: 1.1V(VDD2 = 1.06-1.17V) 低压I/O:LPDDR4: 1.1V(VDDQ = 1.06-1.17V...
LPDDR4:VDD1是1.8V, VDD2和VDDQ均为1.1V。 LPDDR4X:VDD1是1.8V, VDD2是1.1V, VDDQ电压更低至0.6V。 LPDDR4X可以视为LPDDR4的更节能优化版本。它具有与LPDDR4相同的频率,带宽。它将I / O电压降低近了50%(1.1至0.6V),从而大大降低了存储器以及存储器控制器的功耗,总功耗降低约10-20% ...
TPS65296 利用内部的低 Rdson 电源 MOSFET 提供了丰富的功能和很高的效率。它支持灵活的电源状态控制，在 S3 状态下将 VDDQ 置于高阻抗状态，在 S4/S5 状态下对 VDD1、VDD2 和 VDDQ 进行放电。全面的保护特性包括 OVP、UVP、OCP、UVLO 和热关断保护。该器件采用热增强型 18 引脚 HotRod™ VQFN 封装，并且...
LPDDR4学习笔记：LPDDR4的上电及初始化流程主要包括以下四个关键阶段：一、升压阶段 时间范围：从Ta时刻上电至Tb时刻。 要求：Vdd1在Vdd2之前或同时开始升压，Vdd2在Vddq之前或同时开始。在此阶段，推荐保持RESET_n为低电平不超过0.2倍的Vdd2值。所有输入信号应保持在VILmin和VIHmax之间。二、RESET_n...
TPS65296采用两个同步降压转换器，分别是VDD1和VDD2。VDD1的输入电压范围为3V至5.5V，输出电压固定为1.8V。而VDD2的输入电压范围为4.5V至18V，输出电压固定为1.1V。这两个转换器都采用了D-CAP3™模式控制，可以实现快速瞬态响应，具有良好的负载/线路调节。此外，它们还支持高级Eco-mode™脉冲跳跃功能，...
LPDDR4:VDD1是1.8V, VDD2和VDDQ均为1.1V。 LPDDR4X:VDD1是1.8V, VDD2是1.1V, VDDQ电压更低至0.6V。 LPDDR4X可以视为LPDDR4的更节能优化版本。它具有与LPDDR4相同的频率,带宽。它将I / O电压降低近了50%(1.1至0.6V),从而大大降低了存储器以及存储器控制器的功耗,总功耗降低约10-20% ...
TPS65296内置低Rdson功率mosfet,功能丰富,效率高。支持灵活的电源状态控制,将VDDQ置于S3的高z位,将VDD1、VDD2、VDDQ置于S4/S5状态放电。完整的保护功能包括OVP, UVP, OCP, UVLO和热关闭保护。该部件采用热增强18引脚HotRodVQFN封装,可在-40°C至125°C结温范围下工作。