图1. 台积电(TSMC)28HPC SSG工艺角和28HPM SS 工艺角 2. 随着工艺变异性减小,闸门漏电流也减少 HPC工艺变异性的改进降低了晶体管泄漏,因此根据不同的工艺选项和条件,28HPC工艺将比28HPM减少约20%的漏电量(图2)。 图2. TSMC 28HPC FFG工艺角和28HPM FFG工艺角 3.使用28HPC +改进工艺
通过优化晶体管结构和降低漏电流,28nm LP工艺能够在保证性能的同时,实现更低的功耗。 接下来是28nm HPM(High Performance for Mobile)工艺版本。这个版本主要针对移动设备市场,强调高性能和低功耗的平衡。通过改进晶体管的驱动能力和降低漏电,HPM工艺能够在保证移动设备续航的同时,提供流畅的操作体验。 而28nm HPC(High...
Thick oxide library - TSMC 28nm HPC / HPC+ / HPM / HP / HPL / LP / ULP Dolphin offers an extensive array of Standard Cell libraries that have been methodically tested and verified in silicon for each process technology su... You must be registered with the D&R website to vie...